[发明专利]刻蚀控制方法以及半导体制造工艺控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种刻蚀控制方法以及采用了该刻蚀控制方法的半导体制造工艺控制方法。

背景技术

刻蚀是半导体制造领域常用的工艺。半导体刻蚀设备包括诸如Lam公司的型号为9400DFM和9600DFMP的设备之类的刻蚀设备。

在半导体刻蚀工艺中，上述半导体刻蚀设备的传送模块TM中会发生气压偏移。此时，没有处理的晶圆存在落有灰尘的风险，由此进一步造成刻蚀失败。

当由于诸如门阀泄漏之类的原因而造成气压偏移(例如大于200mt)发生时，诸如9400DFM和9600DFMP之类的刻蚀设备的设备自动化系统将暂停当前处理的批次的晶圆，但是设备自动化系统并不停止设备运行。

具体地，如图1所示，其中示出了根据现有技术的在出现气压偏移时的刻蚀控制方法。

在状态1中，第一装货卸货腔LC1中的工艺正在进行，这属于正常处理状态。

另一方面，在状态2中，第二装货卸货腔LC2工作完成并准备卸载；第二装货卸货腔LC2从真空充气到大气即状态3，如果此时存在状态4即第二装货卸货腔LC2和传送模块TM的隔离阀门漏气，会出现例如传送模块TM的气压＞200mt(状态5)。由此，进入状态6的传送模块气压警告。

在状态6的传送模块气压警告出现时，暂停第一装货卸货腔LC1的晶圆工序(状态7)。

在第二装货卸货腔LC2完成卸载以后，第二装货卸货腔LC2装货继续工作(状态8)，第二装货卸货腔LC2抽气，即从真空大气(状态9)，由于状态4，使得传送模块TM的气压变成90mt(状态10)。此后，TM气压自动消除(状态11)。最后，第一装货卸货腔LC1中的工序继续(状态12)。

但是，上述过程存在一个问题，由于系统在气压偏移发生时仅仅使晶圆流程工序暂停等待传送模块TM的气压稳定成90mt；所以，如果传送模块TM的气压稳定之后晶圆处理流程继续，则有可能导致在气压偏移期间落有灰尘的晶圆仍被处理，从而阻挡刻蚀反应，造成刻蚀失败，由此造成晶圆报废以及器件失效。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够在传送模块气压偏移发生时尽量避免晶圆报废以及器件失效的刻蚀控制方法以及采用了该刻蚀控制方法的半导体制造工艺控制方法。

根据本发明的第一方面，提供了一种刻蚀控制方法，其包括：在发生传送模块气压偏移时发出传送模块气压警告；利用设备自动化系统检查传送模块气压警告记录，确定是否有传送模块气压警告；在存在传送模块气压警告的情况下，给机台发出停止工艺流程的命令，蚀刻机台根据设备自动化系统的命令，停止装货卸货腔的工艺流程，使有缺陷的晶圆停止反应；从而单独处理有缺陷的晶圆。

优选地，所述刻蚀控制方法还包括步骤：对筛选出来的有缺陷的晶圆进行处理以消除缺陷，随后对消除了缺陷的晶圆进行正常处理。

优选地，传送模块气压偏移是由于装货卸货腔和传送模块的(LC2&TM)隔离阀泄漏造成的。

根据本发明的第二方面，提供了一种半导体制造工艺控制方法，其特征在于采用了根据本发明的第一方面的刻蚀控制方法。

通过采用本发明的技术方案，与现有技术相比，能够在传送模块气压偏移发生时尽量避免晶圆报废以及器件失效。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了根据现有技术的在出现气压偏移时的刻蚀控制方法。

图2示意性地示出了根据本发明实施例的在出现气压偏移时的刻蚀控制方法。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

图2示意性地示出了根据本发明实施例的在出现气压偏移时的刻蚀控制方法。

如图2所示，状态1至状态7与图1所示的现有技术相同。

即，在状态1中，第一装货卸货腔LC1中的工艺正在进行，这属于正常处理状态。