[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于包括：光感元件、传输管、重置晶体管以及源跟随晶体管；其中，在所述传输管和所述重置晶体管之间的浮置扩散区层上布置了一个多晶硅层以形成MOS电容，所述MOS电容与浮置扩散区PN结电容并联。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述浮置扩散区多晶硅层中间开孔，并且金属接触填充了所述孔。

3.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其特征在于，所述光感元件是光电二极管。

4.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器是CMOS图像传感器。

5.一种图像传感器制造方法，其特征在于包括：

在衬底上涂覆光致抗蚀剂；

利用光致抗蚀剂执行离子注入以形成浮置扩散区层；

去除光致抗蚀剂；

在硅片表面提供多晶硅层；以及

使多晶硅层形成图案，从而形成浮置扩散区多晶硅层。

6.根据权利要求5所述的图像传感器制造方法，其特征在于还包括：形成栅极侧墙，以及通过离子注入形成晶体管沟道区域。

7.根据权利要求6所述的图像传感器制造方法，其特征在于还包括：形成层间介质，并且形成接触孔并用导电材料填充接触孔。