[发明专利]一种3D显示装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210028990.0 申请日: 2012-02-09
公开(公告)号: CN102629041A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: 武延兵 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1335;G02B27/22;G02B5/18;H04N13/04
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 显示装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种3D液晶显示装置,包括:光栅层、对盒成型的TFT阵列基板和彩膜基板,其中所述光栅层包括视差挡板或透镜光栅,所述彩膜基板包括透明基板和彩膜,所述TFT阵列基板和所述彩膜基板之间填充有液晶,所述TFT阵列基板包括由横纵交叉的栅线和数据线划分出的多个像素单元,每个像素单元包括像素电极和TFT电路,其特征在于,

每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个左视场像素电极和至少两个右视场像素电极;

每个像素单元的TFT电路包括与所述左视场像素电极连接的第一子TFT电路和与所述右视场像素电极连接的第二子TFT电路。

2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,在每个像素单元中,所有的所述左视场像素电极构成第一梳状结构,所有的所述右场像素电极构成第二梳状结构,所述第一梳状结构与所述第二梳状结构相互交叉设置。

3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述左视场像素电极、右视场像素电极的宽度为1-20μm。

4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一子TFT电路的栅极和所述第二子TFT电路的栅极与同一条栅线连接;所述第一子TFT电路的源极和所述第二子TFT电路的源极分别与一个像素单元两端的数据线连接;所述第一子TFT电路的漏极与所述左视场像素电极连接,所述第二子TFT电路的漏极与所述右视场像素电极连接。

5.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,

当所述光栅层为视差挡板时,所述视差挡板位于所述彩膜的上方或下方,且与所述彩膜的距离为1-100μm;

当所述光栅层为透镜光栅时,所述透镜光栅位于所述透明基板的上方。

6.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,当所述光栅层为视差挡板,且所述视差挡板位于所述彩膜的上方时,所述视差挡板与所述彩膜之间设有厚度为1-100μm的透明层。

7.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述透镜光栅包括液晶透镜或柱透镜光栅。

8.根据权利要求1-7任一所述的显示装置,其特征在于,所述光栅层的中心线与所述显示装置的显示区域的中心线重合。

9.一种3D-OLED显示装置,包括:光栅层、TFT阵列基板和封装层,其中所述光栅层包括视差挡板或透镜光栅,所述TFT阵列基板包括由横纵交叉的栅线和数据线划分出的多个像素单元,每个像素单元包括电致发光EL层和控制电路,所述EL层包括金属阴极、像素电极和位于所述金属阴极和像素电极之间的有机发光材料,其特征在于,

每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个左视场像素电极和至少两个右视场像素电极;

每个像素单元的控制电路包括与所述左视场像素电极连接的第一子控制电路和与所述右视场像素电极连接的第二子控制电路。

10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,在每个像素单元中,所有的所述左视场像素电极构成第一梳状结构,所有的所述右场像素电极构成第二梳状结构,所述第一梳状结构与所述第二梳状结构相互交叉设置。

11.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述左视场像素电极、右视场像素电极的宽度为1-20μm。

12.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述第一子控制电路开关管的栅极和所述第二子控制电路开关管的栅极与同一条栅线连接;所述第一子控制电路驱动管开关管的源极和所述第二子控制电路驱动管开关管的源极分别与一个像素单元两端的数据线连接;所述第一子控制电路驱动管的漏极与所述左视场像素电极连接,所述第二子控制电路驱动管的漏极与所述右视场像素电极连接。

13.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,

当所述光栅层为视差挡板时,所述视差挡板位于所述封装层的上方或下方,且与所述EL层的距离为1-100μm;

当所述光栅层为透镜光栅时,所述透镜光栅位于所述封装层的上方。

14.根据权利要求13所述的显示装置,其特征在于,当所述视差挡板位于所述封装层的下方时,所述视差挡板与所述像素电极之间设有厚度为1-100μm的透明层。

15.根据权利要求13所述的显示装置,其特征在于,所述透镜光栅包括液晶透镜或柱透镜光栅。

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