[发明专利]封装结构及具有该封装结构的太阳能电池有效
申请号: | 201210026054.6 | 申请日: | 2012-02-07 |
公开(公告)号: | CN103165711A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 郑琮达;朱仁佑;陈怡萍;陈品诚 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/052 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 具有 太阳能电池 | ||
【技术领域】
本发明涉及一种太阳能电池技术,且特别是涉及一种具有减少电极遮蔽效果(gridline shading)的封装结构及具有此封装结构的太阳能电池。
【背景技术】
硅晶太阳能电池的光学损失有三种主要途径:
第一种是硅晶片表面反射,目前的解决方式是在正面制作粗糙结构及抗反射膜来降低反射率;
第二种是背板反射与吸收,由于硅在长波长的吸收较差,因此长波长的光在铝背板的部份会被吸收及反射。
第三种是因为电极遮蔽所导致入射光的损失。这是因为一般硅晶太阳能电池为了能够有效地收集所激发的载流子形成光电流,会在基板正、反两面各自利用银胶以及银铝胶丝网印刷电极来收集载流子。其中正面利用银胶丝网印刷成的指叉电极会遮蔽入射光进入太阳能电池,入射至电极上的光会直接被反射回去或被电极所吸收,仅有少部分的光能因为大角度而被封装材料全反射进入太阳能电池被吸收。
为了能够减少电极遮蔽的面积,目前所采用的方式有两种,第一种是改变电极的形状与尺寸,虽然缩小电极的形状与尺寸能够有效减少遮蔽面积,但是必须搭配目前丝网印刷所能印刷的最小线宽。第二种是改变电池的整体架构,将正面电极连接至背面进而使正面完全无电极遮蔽的问题,如射极穿透式背电极(Emitter Wrap-Through,EWT)太阳能电池、PUM(Pin-Up Module)太阳能电池、交指式背电极(Interdigitated Back Contact,IBC)太阳能电池等。然而这类型的太阳能电池需要复杂的制程,不易大量生产。
目前已有美国专利US 4,711,972、US 5,110,370、US 5,228,926等在封装材料与空气的界面上制作光导向的结构,以利用封装材料与空气的折射率差异及其结构形状,使原先会直接入射至电极的入射光,经由折射至未受遮蔽的区域,增加入射光量。然而,上述结构位于封装材料与空气界面,当电池模组放置于室外会有灰尘及脏污的问题,容易使得灰尘沉积在制作结构处,因而降低整体入射光通量。
另外,美国专利US 5,076,857与US 5,554,229则是将光导向的结构制作在电池接触面上,以使光产生全反射。然而,这种设计因为与太阳能电池接触,因此可能在电性上会对电池产生影响。
【发明内容】
本发明提供一种封装结构,其具有能将光的行径方向改变的微结构。
本发明提供一种太阳能电池,其能减少电极遮蔽效果。
本发明提出一种封装结构,包括透明封装块材以及至少一个能改变光方向的结构。所述结构位于透明封装块材内并与透明封装块材的表面相隔一段距离。
在本发明的一实施例中,上述能改变光方向的结构包括V形反射结构以及填充在其内的填充材料。
在本发明的一实施例中,上述V形反射结构的顶角的半角(half angle)ψ的范围约为0<ψ≤60°。
在本发明的一实施例中,上述V形反射结构的厚度约大于50微米。
在本发明的一实施例中,上述V形反射结构的材料例如由贵重金属、过渡金属与货币金属组成的群组之一或其合金中选择的一种材料。
在本发明的一实施例中,上述填充材料例如是由贵重金属、过渡金属与货币金属组成的群组之一或其合金中选择的一种材料。
在本发明的一实施例中,上述填充材料例如为乙烯-醋酸乙烯共聚物、硅氧烷树脂、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸甲酯与苯乙烯共聚合物、聚碳酸酯、聚乙烯、硅树脂、碳酸钙、二氧化硅或二氧化钛及其化合物中的一种。
在本发明的一实施例中,上述填充材料与透明封装块材的材料可以是相同或者是不同的材料。
在本发明的一实施例中,上述能改变光方向的结构包括光扩散层。
在本发明的一实施例中,上述光扩散层的形状包括块状、三角形或半圆形。
在本发明的一实施例中,上述光扩散层的原料包括树脂以及扩散粒子。
在本发明的一实施例中,上述扩散粒子的材料例如选自聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸甲酯与苯乙烯共聚合物、聚碳酸酯、聚乙烯、硅树脂、碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛及其化合物中的一种材料。
在本发明的一实施例中,上述扩散粒子的形状包括圆形或不规则形状。
在本发明的一实施例中,上述扩散粒子可为实心粒子或含孔洞(porous)的粒子。
在本发明的一实施例中,上述扩散粒子的粒径约介于0.01微米~50微米之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的