[发明专利]带有V型槽的微小硅片的切断方法

权利要求书

1.一种带有V型槽的微小硅片的切断方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）准备好左支架和右支架及一块用于冲撞的撞块，撞块的下端呈锥形结构；

（2）在微小硅片上的Y方向上设有两个横槽，横槽的深度比微小硅片上X方向的V型槽的深度要深；

（3）将微小硅片放置在左、右两个支架上，且左、右两个支架之间有间距，使微小硅片上Y方向上的两个横槽与左、右支架的内侧边正好对应；

（4）用撞块轻轻敲压微小硅片的位于左、右支架之间的部位，将微小硅片断成三段。

2.根据权利要求1所述的一种带有V型槽的微小硅片的切断方法，其特征在于：在所述的步骤（2）中，微小硅片的Y方向上的两个横槽的制作方法是：

1）利用低压化学气相沉积在硅片表面生长氮化硅薄膜；

2）在硅片表面涂光刻胶并干燥，形成光刻胶膜；

3）将事先做好图形的掩模放在硅片上方，在光刻机中曝光形成潜影；

4）显影、清洗、烘干，在硅片表面形成具有图形结构的胶膜；

5）硅片放入真空腔中充入特定气体并放电，在低压等离子体中刻蚀没有胶膜保护的氮化硅，直至彻底清除氮化硅并露出单晶硅；

6）用去膜剂除掉胶膜，露出具有图形结构的氮化硅；

7）在碱性腐蚀液中湿法刻蚀露出的硅片，直至形成横槽。