[发明专利]在金属基板上制造高效率紫外线垂直式发光二极管的方法

权利要求书

1.一种制造一垂直式发光二极管结构的方法，包括：

在一蓝宝石基板上成长一牺牲性GaN层；

在所述牺牲性GaN层上形成一n型掺杂层；

在所述n型掺杂层上形成一有效层；

在所述有效层上形成一p型掺杂层，其中在所述牺牲性GaN层上的所述n型掺杂层、所述有效层及所述p型掺杂层包括AlInGaN及A1GaN的至少一者；

在所述p型掺杂层上沉积一或多层金属基板；

移除所述蓝宝石基板；及

移除所述牺牲性GaN层。

2.如权利要求1的制造一垂直式发光二极管结构的方法，其中所述牺牲性GaN层包括n型掺杂、无掺杂或p型掺杂GaN层。

3.如权利要求1的制造一垂直式发光二极管结构的方法，其中以镁、硅及锌中至少一者掺杂所述牺牲性GaN层。

4.如权利要求1的制造一垂直式发光二极管结构的方法，其中所述牺牲性GaN层具有介于10nm与10μm之间的厚度。

5.如权利要求2的制造一垂直式发光二极管结构的方法，其中所述金属基板包括Cu、Ni、Au、Ag、Co、Pd、Pt、W、Cr、Ti或其合金中至少一者。

6.如权利要求1的制造一垂直式发光二极管结构的方法，其中沉积所述一或多层金属基板包括电化学沉积法、无电化学沉积法、化学汽相沉积法、等离子辅助化学汽相沉积法、物理汽相沉积法、蒸发或等离子喷涂技术中至少一者。

7.如权利要求1的制造一垂直式发光二极管结构的方法，更包括在所述p型掺杂层与所述金属基板之间沉积一反射层。

8.如权利要求7的制造一垂直式发光二极管结构的方法，更包括在所述p型掺杂层与所述反射层之间沉积一导电透明层。

9.如权利要求1的制造一垂直式发光二极管结构的方法，其中移除所述牺牲性GaN层包括湿法刻蚀、干法刻蚀、机械抛光及化学机械研磨法中至少一者。

10.如权利要求1的制造一垂直式发光二极管结构的方法，其中所述p型掺杂层及所述n型掺杂层均不包括GaN。