[发明专利]固态图像拾取设备和用于制造固态图像拾取设备的方法

权利要求书

1.一种用于制造固态图像拾取设备的方法，所述固态图像拾取设备包括：

包含光电转换部的基板，和

被布置于基板上的波导，所述波导与所述光电转换部对应并且包含芯部和覆层，所述方法包括：

第一步骤和第二步骤，

其中，在第一步骤和第二步骤中，通过高密度等离子体增强化学气相沉积在所述覆层中的开口中形成要被形成为所述芯部的部件，并且，

其中，在第一步骤之后，在第二步骤中，在基板的背面侧的射频功率与基板的正面侧的射频功率的比率高于第一步骤中的该比率的条件下，通过高密度等离子体增强化学气相沉积，形成所述要被形成为芯部的部件。

2.根据权利要求1的方法，

其中，所述要被形成为芯部的部件包含硅氮化物，并且，

在第一步骤和第二步骤中，馈送含有含硅气体、氮、含氮气体、以及惰性气体的混合气体。

3.根据权利要求1的方法，其中，在第一步骤中形成的所述部件具有10nm～50nm的厚度。

4.根据权利要求1的方法，还包括：

在开口中形成所述要被形成为芯部的部件的第三步骤，

其中，在高密度等离子体增强化学气相沉积中基板的背面侧的射频功率与基板的正面侧的射频功率的比率被设为介于第一步骤中的该比率的值和第二步骤中的该比率的值之间的值的条件下，在第一步骤和第二步骤之间执行第三步骤。

5.根据权利要求1的方法，还包括：

在第二步骤之后，执行部分去除所述要被形成为芯部的部件的蚀刻步骤。

6.根据权利要求1的方法，

其中，在第二步骤中形成的所述部件包含含有Si-H键和N-H键的硅氮化物，并且，

其中，所述硅氮化物的N-H键与Si-H键的比率，即，N-H键/Si-H键为1.0～10。

7.根据权利要求1的方法，其中，在第二步骤中，沿与基板的主面垂直的方向从开口的底面的沉积速率为沿与基板的主面平行的方向从开口的侧面的沉积速率的1.5～10倍。

8.根据权利要求1的方法，

其中，开口具有宽度为L1的底面、宽度为L2的上部面、以及相对于基板的主面的倾角为α的侧面，上部面到底面的高度为H，并且，

其中，开口满足L1＜L2、H/L2≤2且72.8°＜α＜90°。

9.根据权利要求2的方法，

其中，在第二步骤中，所述惰性气体至少含有氦，并且，

其中，用于形成所述要被形成为芯部的部件的装置的腔中的压力处于3mTorr～10mTorr的范围中。

10.根据权利要求1的方法，

其中，通过平行板等离子体增强化学气相沉积执行第一步骤，并且，

其中，通过高密度等离子体增强化学气相沉积执行第二步骤。

11.一种固态图像拾取设备，包括：

包含光电转换部的基板，和

被布置于基板上的波导，所述波导与所述光电转换部对应并且包含芯部和覆层，

其中，所述芯部包含含有Si-H键和N-H键的硅氮化物，并且，

其中，所述硅氮化物的N-H键与Si-H键的比率，即，N-H键/Si-H键为1.0～10。

12.根据权利要求11的固态图像拾取设备，其中，所述芯部的硅氮化物延伸到所述覆层的上部部分。

13.一种用于制造固态图像拾取设备的方法，所述固态图像拾取设备包含：

包含光电转换部的基板，和

被布置于基板上的波导，所述波导与所述光电转换部对应并且包含芯部和覆层，所述方法包括：

通过高密度等离子体增强化学气相沉积用所述芯部填充所述覆层中的开口的步骤，

其中，在高密度等离子体增强化学气相沉积中，沿与基板的主面垂直的方向从开口的底面的沉积速率为沿与基板的主面平行的方向从开口的侧面的沉积速率的1.5～10倍。