[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210023075.2 | 申请日： | 2007-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102593300A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 李尚烈 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;董文国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体发光器件，包括：
衬底；
在所述衬底上的发光结构，所述发光结构包括：第一半导体层、在所述第一半导体层上的第二半导体层、以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；和
其中所述衬底具有至少一个具有预定倾角的侧表面。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述衬底包括在所述衬底的下部上具有所述预定倾角的所述侧表面。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述预定倾角为相对于所述衬底的底表面的钝角。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体发光器件，还包括在所述衬底和所述第一半导体层之间的缓冲层。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体发光器件，还包括在所述第二半导体层上的透明电极层。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体发光器件，还包括在所述第一半导体层的第一电极。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体发光器件，还包括在所述第二半导体层上的第二电极。
8.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述有源层包括：包括InGaN/GaN的单量子阱和多量子阱结构中的至少一种。
9.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述第一半导体层包括GaN层。
10.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述衬底包括蓝宝石。
11.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体发光器件，还包括在所述发光结构和所述衬底之间的第一电极。
12.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中所述缓冲层包括AlInN/GaN、InxGa1-xN/GaN和AlxInyGa1-x-yN/InxGa1-xN/GaN中的至少一种堆叠结构。
13.根据权利要求5所述的半导体发光器件，所述透明电极层包括ITO、ZnO、RuOx、TiOx和IrOx中的至少一种。
14.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其中所述第一电极包括钛(Ti)。
15.根据权利要求7所述的半导体发光器件，其中所述第二电极包括金属材料。
16.根据权利要求15所述的半导体发光器件，其中所述金属材料包括镍(Ni)。
17.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中所述第一电极包括钛(Ti)。
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