[发明专利]薄膜沉积系统及薄膜沉积方法

权利要求书

1.一种薄膜沉积系统，用以在一个或多个基板上形成一层或多层材料层，该薄膜沉积系统包括有：

一真空室；

一喷气单元，位于该真空室内；

一腔门，位于该真空室的腔壁上，其中该腔门容许在真空状态下，一个或多个基板在该真空室内进行装载及卸载；及

一驱动装置，连接于该喷气单元，其中该驱动装置设置成在真空状态下使该喷气单元在一第一位置及一第二位置之间移动；

其中当该喷气单元位于该第一位置时，该一个或多个基板经由该腔门进行装载及卸载，而当该喷气单元位于该第二位置时，该喷气单元限制该真空室内的腔门的进出。

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于，在该一个或多个基板上形成该材料层的过程中，该喷气单元位于该第二位置，而将该腔门与该真空室的内部隔绝开，并在该真空室内提供稳定的流场。

3.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于，该腔门位于该真空室的一反应区外。

4.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于，当该喷气单元位于该第一位置时，容许一机器手臂进出该真空室，而对该真空室的一个或多个基板进行装载及卸载。

5.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于，该驱动装置包括至少一真空伸缩管，且该真空伸缩管连接于该喷气单元。

6.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于，还包括有一个或多个基板承载单元位于该真空室内，并用以承载该一个或多个基板。

7.根据权利要求6所述的薄膜沉积系统，其特征在于，还包括一抬升装置，连接于该至少一基板承载单元，其中该抬升装置设置成使该基板承载单元在一较高位置及一较低位置之间移动，当该基板承载单元位于该较高位置时，该基板承载单元经由该腔门进行装载及卸载，而当该基板承载单元位于该较低位置时，则在该一个或多个基板上形成该材料层。

8.根据权利要求7所述的薄膜沉积系统，其特征在于，该抬升装置包至少一真空伸缩管。

9.根据权利要求7所述的薄膜沉积系统，其特征在于，该抬升装置设置成抬升或降低该至少一基板承载单元。

10.根据权利要求1所述的薄膜沉积系统，其特征在于，还包含一主承载盘位于该真空室内，并用以承载该一个或多个基板。

11.根据权利要求10所述的薄膜沉积系统，其特征在于，还包括一抬升装置连接于该主承载盘，其中该抬升装置设置成使该主承载盘在一较高位置及一较低位置之间移动，当该主承载盘位于该较高位置时，该主承载盘经由该腔门进行装载及卸载，而当该主承载盘位于该较低位置时，则在该一个或多个基板上形成该材料层。

12.根据权利要求11所述的薄膜沉积系统，其特征在于，该抬升装置包括有至少一真空伸缩管。

13.根据权利要求11所述的薄膜沉积系统，其特征在于，该抬升装置设置成抬升及降低该主承载盘。

14.一种薄膜沉积方法，用以在一个或多个基板上形成一层或多层材料层，其特征在于，该薄膜沉积方法包括有：

使得一喷气单元位于一真空室内的一第一位置，藉此经由该真空室的腔壁上的一腔门进出该真空室；

于真空下经由该腔门将该一个或多个基板装载至该真空室；

于真空下将该喷气单元移动至一第二位置，使得该喷气单元限制该真空室内的腔门的进出；及

在该一个或多个基板上形成该一层或多层的材料层。

15.根据权利要求14所述的薄膜沉积方法，其特征在于，还包括以下步骤：在真空状态下，

在该一个或多个基板上形成该一层或多层的材料层后，将该喷气单元移动至该第一位置；

经由该腔门进行具有该一层或多层材料层的一个或多个基板的卸载。

16.根据权利要求14所述的薄膜沉积方法，其特征在于，还包括以下步骤：在真空状态下，

在该一个或多个基板上形成该一层或多层材料层后，将该喷气单元移动至该第一位置；

经由该腔门进行该具有一层或多层材料层的一个或多个基板的卸载；

经由该腔门将一个或多个新增的基板装载至该真空室；

移动该喷气单元至该第二位置；及

在该一个或多个新增的基板上形成该一层或多层材料层。