[发明专利]一种采用共晶键合与SOI硅片的MEMS硅麦克风及其制备方法

权利要求书

1. 一种采用共晶键合与SOI硅片的MEMS硅麦克风，包括背极板（1）及位于所述背极板（1）下方的振膜体（10）；其特征是：所述背极板（1）与振膜体（10）通过共晶键合连接；所述振膜体（10）包括SOI硅基，所述SOI硅基包括振动薄膜（11），所述SOI硅基内的中心区刻蚀有深坑（14），所述深坑（14）从SOI硅基对应形成振动薄膜（11）另一侧的表面延伸到振动薄膜（11）；所述背极板（1）内设有贯通背极板（1）的分离槽（2），背极板（1）通过分离槽（2）形成相分离的第一极板区域（15）及第二极板区域（16）；所述第二极板区域（16）内设有若干贯通第二极板区域（16）的声孔（7），所述声孔（7）与下方的深坑（14）相对应分布；第二极板区域（16）对应设置声孔（7）且邻近振动薄膜（11）的区域表面与振动薄膜（11）间具有气隙（3）；所述第一极板区域（15）对应于远离振动薄膜（11）的表面设有第一金属焊盘（5），所述第一金属焊盘（5）与第一极板区域（15）欧姆接触，并与振动薄膜（11）电连接；第二极板区域（16）对应远离振动薄膜（11）的表面设有第二金属焊盘（6），所述第二金属焊盘（6）与第二极板区域（16）欧姆接触，且第二极板区域（16）对应的背极板（1）通过绝缘介质层（4）与振动薄膜（11）绝缘隔离。

2.根据权利要求1所述的采用共晶键合与SOI硅片的MEMS硅麦克风，其特征是：所述振动薄膜（11）对应邻近背极板（1）的表面淀积有第二电连接金属（9），所述第二电连接金属（9）与振动薄膜（11）欧姆接触；背极板（1）对应邻近振动薄膜（11）的表面淀积有第一电连接金属（8），所述第一电连接金属（8）同时覆盖第一极板区域（15）、第二极板区域（16）对应的表面，第一电连接金属（8）与第一极板区域（15）欧姆接触，且第一电连接金属（8）通过绝缘介质层（4）与第二极板区域（16）绝缘隔离；背极板（1）通过第一电连接金属（8）及第二电连接金属（9）与振膜体（10）共晶键合连接。

3.根据权利要求1所述的采用共晶键合与SOI硅片的MEMS硅麦克风，其特征是：所述背极板（1）的材料包括硅，SOI硅基对应形成振动薄膜（11）的下方设有埋氧层（12）及支撑层（13），所述埋氧层（12）与振动薄膜（11）分别形成于支撑层（13）上。

4.根据权利要求1所述的采用共晶键合与SOI硅片的MEMS硅麦克风，其特征是：所述声孔（7）的孔径为40μm~100μm。

5.根据权利要求1所述的采用共晶键合与SOI硅片的MEMS硅麦克风，其特征是：所述背极板（1）的厚度为200~400μm，振膜体（10）的厚度为250~450μm。