[发明专利]放射线图像拾取装置和放射线图像拾取/显示系统有效

专利信息
申请号: 201210018029.3 申请日: 2012-01-19
公开(公告)号: CN102623466B 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 山田泰弘 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/32
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 放射线 图像 拾取 装置 显示 系统
【权利要求书】:

1.一种放射线图像拾取装置,包括:

像素部,设置在基板上,并具有光电转换元件;

电路部,设置在所述基板上的所述像素部的外围中,以驱动所述像素部;以及

波长转换层,设置在所述像素部上,以将放射线的波长转换为所述光电转换元件的灵敏度范围内的预定波长,

其中,所述电路部设置在不面向所述波长转换层的端部的区域中。

2.根据权利要求1所述的放射线图像拾取装置,其中,在所述波长转换层之上设置有保护膜。

3.根据权利要求1或2所述的放射线图像拾取装置,其中,所述电路部设置在所述波长转换层的端部的外侧。

4.根据权利要求3所述的放射线图像拾取装置,

其中,所述波长转换层的端部具有渐缩形状,并且

所述电路部设置在所述渐缩形状的底部的外侧。

5.根据权利要求1或2所述的放射线图像拾取装置,其中,所述电路部设置在所述波长转换层的端部的内侧。

6.根据权利要求1所述的放射线图像拾取装置,

其中,所述电路部包括均包括半导体层的晶体管,并且

所述半导体层包括多晶硅、微晶硅以及氧化物半导体中的一种。

7.根据权利要求6所述的放射线图像拾取装置,其中,所述半导体层包括低温多晶硅。

8.根据权利要求1所述的放射线图像拾取装置,其中,所述波长转换层的材料包括将X射线转换成可见光的荧光体,所述荧光体包括CsI、Gd2O2S、BaFX中的至少一种,其中,X表示Cl、Br或I。

9.一种放射线图像拾取装置,包括:

像素部,设置在基板上,并具有光电转换元件;

电路部,设置在所述基板上的所述像素部的外围中,以驱动所述像素部;

波长转换层,设置在所述像素部上,以将放射线的波长转换为所述光电转换元件的灵敏度范围内的特定波长;以及

电屏蔽层,设置在所述电路部上。

10.根据权利要求9所述的放射线图像拾取装置,其中,在所述波长转换层之上设置有保护膜。

11.根据权利要求9或10所述的放射线图像拾取装置,

其中,每个所述光电转换元件都具有在一对导电膜之间的半导体层,并且

所述电屏蔽层由与所述光电转换元件的所述导电膜之一的材料相同的材料构成。

12.根据权利要求11所述的放射线图像拾取装置,其中,所述电屏蔽层包括透明导电膜。

13.根据权利要求9所述的放射线图像拾取装置,

其中,所述电路部包括均包括半导体层的晶体管,并且

所述半导体层包括多晶硅、微晶硅以及氧化物半导体中的一种。

14.根据权利要求13所述的放射线图像拾取装置,其中,所述半导体层包括低温多晶硅。

15.根据权利要求9所述的放射线图像拾取装置,所述波长转换层的材料包括将X射线转换成可见光的荧光体,所述荧光体包括CsI、Gd2O2S、BaFX中的至少一种,其中,X表示Cl、Br或I。

16.一种放射线图像拾取/显示系统,包括:

图像拾取装置,基于放射线获取图像;以及

显示单元,显示由所述图像拾取装置获取的图像,

其中,所述图像拾取装置包括:

像素部,设置在基板上,并具有光电转换元件,

电路部,设置在所述基板上的所述像素部的外围中,以驱动所述像素部,以及

波长转换层,设置在所述像素部上,以将放射线的波长转换为所述光电转换元件的灵敏度范围内的特定波长,

其中,所述电路部设置在不面向所述波长转换层的端部的区域中。

17.一种放射线图像拾取/显示系统,包括:

图像拾取装置,基于放射线获取图像;以及

显示单元,显示由所述图像拾取装置获取的图像,

其中,所述图像拾取装置包括:

像素部,设置在基板上,并具有光电转换元件,

电路部,设置在所述基板上的所述像素部的外围中,以驱动所述像素部,

波长转换层,设置在所述像素部上,以将放射线的波长转换为所述光电转换元件的灵敏度范围内的特定波长,以及

电屏蔽层,设置在所述电路部上。

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