[发明专利]包括外延区域的半导体器件

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供基板；

在所述基板上形成与栅极结构邻接的第一隔离材料层，其中，所述第一隔离材料层包括硅和碳；

形成覆盖在所述第一隔离材料层上的第二隔离材料层；

同时蚀刻所述第一隔离材料层和所述第二隔离材料层，以分别形成第一隔离层和第二隔离层；以及

在与所述第一隔离层和第二隔离层接合的所述基板上形成外延区域。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在形成所述第一隔离材料层之前，形成低剂量漏极区域；

在形成所述外延区域之后，去除所述第二隔离层；以及

在去除所述第二隔离层之后，在所述基板上形成层间电介质(ILD)层，其中，所述ILD层包括与所述第一隔离层接合的界面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成所述第一隔离材料层包括：沉积SiCN，

形成所述第二隔离材料层包括：沉积氮化硅，

所述同时蚀刻所述第一隔离材料层和所述第二隔离材料层包括：从所述栅极结构的顶面去除所述第一隔离材料层，并且使所述基板的区域暴露，在所述基板的区域中将形成所述外延区域。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极结构包括多晶硅，所述栅极结构包括覆盖在所述多晶硅上的硬掩模层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成所述第一隔离材料层包括形成共形层，所述共形层在形成所述第二隔离材料层之前不被蚀刻，并且，所述方法进一步包括：

从所述基板去除所述栅极结构，其中，所述去除所述栅极结构提供具有由所述第一隔离层材料限定的侧壁的沟槽。

6.一种方法，包括：

提供半导体基板；

在所述半导体基板上形成伪栅极结构；

在所述伪栅极结构的侧壁上形成隔离元件衬层，其中，所述隔离元件衬层包括硅和碳；

形成与所述隔离元件衬层邻接的主隔离层；

在邻近所述隔离元件衬层和所述主隔离层的所述半导体基板上生长外延区域；

在生长所述外延区域之后去除所述主隔离层；以及

在去除所述主隔离层之后去除所述伪栅极结构，其中，所述去除所述伪栅极结构形成具有由所述隔离元件衬层限定的壁的沟槽。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述生长所述外延区域包括：在所述外延区域和所述隔离元件衬层之间创建界面，所述形成所述隔离元件衬层包括：形成具有基本L-形的基本均匀厚度的层，其中，在所述形成所述主隔离层之前，不蚀刻所述隔离元件衬层。

8.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：

在包括栅极电介质和包含有金属的电极的所述沟槽中形成栅极结构以及，其中，所述栅极结构具有与所述隔离元件衬层接合的界面。

9.一种器件，包括：

半导体基板；

栅极结构，在所述半导体基板上；

外延区域，设置在所述半导体基板上并且邻近所述栅极结构；

隔离元件，具有基本均匀的厚度，与所述栅极结构邻接，并且具有与所述外延区域接合的至少一个界面；以及

层间电介质层，在所述基板上，并且覆盖在所述隔离元件上。

10.根据权利要求9所述的器件，其中，所述隔离元件包括硅和碳，所述外延区域是硅锗外延和硅外延中的至少一个，所述基本均匀的厚度小于约100埃。