[发明专利]一种提高等离子体辅助化学气相沉积设备性能的方法

权利要求书

1.一种提高等离子体辅助化学气相沉积设备性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：在一设置多个电阻感应器的等离子体辅助化学气相沉积设备的反应腔室中，淀积不同厚度的薄膜于所述反应腔室内壁，并且计算出电阻与所述薄膜厚度的变化关系；

步骤S2：感应测试出所述腔室内壁淀积薄膜厚度为T时的电阻值R，比较R与所述反应腔室没有薄膜时的电阻值R₀ 和所述反应腔室内淀积临界厚度薄膜T_m时的电阻值R_M；

步骤S3: 当R≤R_M时，所述电阻感应器触发所述等离子体辅助化学气相沉积设备自动进行清洗；

步骤S4：当R= R₀时，所述等离子体辅助化学气相沉积设备停止清洗。

2.根据权利要求1所述的提高等离子体辅助化学气相沉积设备性能的方法，其特征在于，在所述反应腔室内的侧壁和内壁顶端分别设置有电阻感应器。

3.根据权利要求1或2所述的提高等离子体辅助化学气相沉积设备性能的方法，其特征在于，所述电阻感应器的个数为三个。

4.根据权利要求1所述的提高等离子体辅助化学气相沉积设备性能的方法，其特征在于，在步骤S4中的清洗方式是利用含有F等离子的气体与硅基化合物反应生成SiF₄ ,并利用真空泵抽走。

5.根据权利要求1所述的提高等离子体辅助化学气相沉积设备性能的方法，其特征在于，在步骤S1中，电阻与所述薄膜厚度的变化关系为一线性递减关系。