[发明专利]具有自组成式纳米结构的白光LED芯片结构

权利要求书

1.一种具有自组成式纳米结构的白光LED芯片结构，包括蓝宝石基板（1）、N型氮化镓外延层（2）、多层量子阱氮化铟镓主动层（3）、P型氮化镓外延层（4）、负电极金属层（6）、以及正电极金属层（7）；其特征在于：还包括具有自组成式纳米结构的氧化铟锌透明导电层（5）；其中，N型氮化镓外延层（2）堆栈于蓝宝石基板（1）上；多层量子阱氮化铟镓主动层（3）堆栈于N型氮化镓外延层（2）上，且N型氮化镓外延层（2）部分曝露于多层量子阱氮化铟镓主动层（3）外；P型氮化镓外延层（4）堆栈于多层量子阱氮化铟镓主动层（3）上；具有自组成式纳米结构的氧化铟锌透明导电层（5）堆栈于P型氮化镓外延层（4）上，且P型氮化镓外延层（4）部分曝露于具有自组成式纳米结构的氧化铟锌透明导电层（5）外；负电极金属层（6）堆栈于N型氮化镓外延层（2）的曝露部分上；正电极金属层（7）堆栈于P型氮化镓外延层（4）的曝露部分上，且正电极金属层（7）与具有自组成式纳米结构的氧化铟锌透明导电层（5）连接。

2.根据权利要求1所述的具有自组成式纳米结构的白光LED芯片结构，其特征在于：所述蓝宝石基板（1）是采用蓝宝石制成的。

3.根据权利要求1或2所述的具有自组成式纳米结构的白光LED芯片结构，其特征在于：所述具有自组成式纳米结构的氧化铟锌透明导电层（5）是采用氧化铟和氧化锌制成的。

4.根据权利要求3所述的具有自组成式纳米结构的白光LED芯片结构，其特征在于：氧化铟和氧化锌的比例范围为90:10-10:90。

5.根据权利要求1或2所述的具有自组成式纳米结构的白光LED芯片结构，其特征在于：所述具有自组成式纳米结构的氧化铟锌透明导电层（5）是利用射频磁控溅镀系统在室温下沉积，并进一步利用高温热处理技术在含氧气环境下制作而成的。

6.根据权利要求3所述的具有自组成式纳米结构的白光LED芯片结构，其特征在于：所述具有自组成式纳米结构的氧化铟锌透明导电层（5）是利用射频磁控溅镀系统在室温下沉积，并进一步利用高温热处理技术在含氧气环境下制作而成的。

7.根据权利要求4所述的具有自组成式纳米结构的白光LED芯片结构，其特征在于：所述具有自组成式纳米结构的氧化铟锌透明导电层（5）是利用射频磁控溅镀系统在室温下沉积，并进一步利用高温热处理技术在含氧气环境下制作而成的。

8.根据权利要求1或2所述的具有自组成式纳米结构的白光LED芯片结构，其特征在于：所述具有自组成式纳米结构的氧化铟锌透明导电层（5）的结构型态是藉由高温热处理技术在含氧气环境下制作出的纳米线结构。

9.根据权利要求3所述的具有自组成式纳米结构的白光LED芯片结构，其特征在于：所述具有自组成式纳米结构的氧化铟锌透明导电层（5）的结构型态是藉由高温热处理技术在含氧气环境下制作出的纳米线结构。

10.根据权利要求7所述的具有自组成式纳米结构的白光LED芯片结构，其特征在于：所述具有自组成式纳米结构的氧化铟锌透明导电层（5）的结构型态是藉由高温热处理技术在含氧气环境下制作出的纳米线结构。