[发明专利]光感测组件

说明书

技术领域

本发明是有关于一种光感测组件，且特别是有关于一种具有金属氧化物半导体层的光感测组件。

背景技术

光感测组件，可广泛应用于影像产品如安全监控、数字相机、玩具、手机、PDA、影像电话、指纹辨识器等。已知常见的光传感器可分为可见光光传感器或紫外光光传感器，其是分别使用不同的材料来做感光材料。

已知紫外光光传感器常使用氮化镓(gallium nitride，GaN)或氮化铝镓(AlGaN)等三五族(III-V)金属来当做感光材料。然而，在制程过程中，GaN或AlGaN具有高污染，不易于半导体制程中整合等问题，因此其应用性较低。

另一方面来说，可见光光传感器常使用非晶硅薄膜或多晶硅薄膜作为感光材料，然而具有稳定性差等问题，因此无法有效应用在光传感器产品上。

此外，若欲将紫外光光传感器与可见光光传感器做整合，其因分别使用不同的材料来做感光材料，造成制程复杂度增加、成本相对提升，因此不适用于大量生产制造。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光感测组件。

本发明的一方面为一种光感测组件，其包含基板、第一光传感器以及第二光传感器。第一光传感器形成于基板上，其中第一光传感器包含第一金属氧化物半导体层，用以吸收具有一第一光波段的一第一光线。第二光传感器形成于该基板上，其中第二光传感器包含第二金属氧化物半导体层与有机感光层，有机感光层设置于第二金属氧化物半导体层上，以使第二光传感器用以吸收具有一第二光波段的一第二光线。

依据本发明一实施方式，上述第一光波段为紫外光波段，第一、第二金属氧化物半导体层为铟镓锌氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物或上述的组合。

依据本发明一实施方式，上述第二光波段为可见光波段，有机感光层的材质包含己烷噻吩(ploy(3-hexylthiophene)；P3HT)。

依据本发明一实施方式，上述第一金属氧化物半导体层的厚度与上述第二金属氧化物半导体层的厚度不同。

依据本发明一实施方式，上述第一金属氧化物半导体层的含氧量与上述第二金属氧化物半导体层的含氧量不同。

依据本发明一实施方式，其中第一光传感器的堆叠结构为交错型(Staggered)或共平面型(Coplanar)。

依据本发明一实施方式，其中第二光传感器的堆叠结构为交错型或共平面型。

依据本发明一实施方式，上述光感测组件还包括具有第三金属氧化物半导体层的薄膜晶体管。上述薄膜晶体管的结构为交错型或共平面型。

依据本发明另一实施方式，上述第一、第二、第三金属氧化物半导体层的厚度不同。

依据本发明另一实施方式，上述第一、第二、第三金属氧化物半导体层的含氧量不同。

上述所揭露的光感测组件，其结合紫外光传感器以及可见光光传感器，以通过不同的含氧量或不同厚度的金属氧化物半导体层，使上述组件得到不同的启动电压。此不同启动电压的组件可以简化整体感测电路设计，以不同电压启闭不同组件。

附图说明

为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的详细说明如下：

图1绘示依据本发明的一实施方式的一种光感测组件的剖面结构示意图；

图2绘示依据本发明的一另实施方式的一种光感测组件的剖面结构示意图。

【主要组件符号说明】

100、200：光感测组件

110、210：基板

120、220：第一光传感器

130、230：栅介电层

121、221：第一栅极

122、222：第一金属氧化物半导体层

123a、223a：第一源极

123b、223b：第一漏极

140、240：第二光传感器

141、241：第二栅极

142、242：第二金属氧化物半导体层

143a、243a：第二源极

143b、243b：第二漏极

145、245：有机感光层

150、250：保护层

260：薄膜晶体管

261：第三栅极

262：第三金属氧化物半导体层

263a：第三源极

263b：第三漏极

270：遮光层

具体实施方式