[发明专利]防止下垂的掩模框架及防止下垂的掩模组件无效

专利信息
申请号: 201210010752.7 申请日: 2012-01-16
公开(公告)号: CN103207518A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 魏志凌;高小平;郑庆靓;吴小燕 申请(专利权)人: 昆山允升吉光电科技有限公司
主分类号: G03F1/64 分类号: G03F1/64;G03F1/62
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 防止 下垂 框架 模组
【说明书】:

 

技术领域

 本发明涉及一种防止下垂的掩模框架及防止下垂的掩模组件,属于掩模板应用领域。

 

背景技术

MASK(掩膜):单片机掩膜是指程序数据已经做成光刻版,在单片机生产的过程中把程序做进去。优点是:程序可靠、成本低。缺点:批量要求大,每次修改程序就需要重新做光刻板,不同程序不能同时生产,供货周期长。 

在半导体制造中,许多芯片工艺步骤采用光刻技术,用于这些步骤的图形“底片”称为掩膜(也称作“掩模”),其作用是:在硅片上选定的区域中对一个不透明的图形模板遮盖,继而下面的腐蚀或扩散将只影响选定的区域以外的区域。

在使用传统的掩模组件的平板现实装置的传统沉积设备中,在沉积过程中,基板中间部分可能由于基板的重量而向掩模组件弯曲。如此,掩模组件的图案掩模会被基板按压并会变形,从而引起在基板上的不精确排列和材料的沉积。

 

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种防止下垂掩模框架及相应的掩模组件, 能解决掩模板因重力而引起的下垂,而且不影响位置精度,在运输中也能保护掩模板。

为了解决上述技术问题,本发明采取的技术方案如下:

一种防止下垂掩模框架,其特征在于,包括边框和支撑条,所述边框和支撑条一体成型。

所述支撑条之间纵向或者横向相互平行。

所述支撑条之间有间隙。

所述支撑条之间的间隙大于或等于掩模板图形区域的开口;所述支撑条的宽度小于或等于掩模板图形区域开口之间的间隙。

优选的,所述掩模框架还设有横向或纵向相互平行的支撑条与所述纵向或横向相互平行的支撑条垂直交叉,形成许多网格。

所述网格的尺寸大于或等于掩模板图形区域开口的尺寸,所述支撑条的宽度小于或等于掩模板图形区域开口之间的间隙。

所述支撑条与所述边框处于同一水平面上。

所述掩模框架的边框上具有满足蒸镀设备要求的结构设计,保证掩模组件可直接上蒸镀设备,而无需将掩模板从掩模框架上拆卸下来,提高了掩模板的使用寿命。

一种防止下垂的掩模组件,其特征在于,包括上述的掩模框架和掩模板,所述掩模框架与所述掩模板焊接。

所述掩模框架的纵横向支撑条与所述掩模板纵横向图形区域间隙对齐,所述掩模框架的纵横向支撑条与所述掩模板纵横向图形区域间隙对齐,支撑条中心线上与掩模板图形区域间隙之间有焊接点,掩模框架边框边缘区域与掩模板边缘之间也有焊接点,所述掩模框架边框边缘区域是指掩模框架边框中心线到掩模框架边框外边线之间的区域。

所述支撑条与所述掩模板的制作材料相同。

本发明提供的防止下垂的掩模框架及防止下垂的掩模组件,有效防止了在沉积蒸镀过程中由掩模组件上的掩模板的重量引起的掩模板的图案变形,有效改善蒸镀精度,生产成本低,效率高,具有广阔的市场前景。

 

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。

图1为只有纵向支撑条的防止下垂的掩模框架;

图2为有纵向和横向支撑条的防止下垂的掩模框架;

图3为图2A部分的局部放大图;

图4为防止下垂的掩模组件的展开图;

图中1为边框,2为支撑条,3为网格,4为掩模框架边框中心线,5为满足蒸镀设备的结构设计,11为掩模板,12为掩模板上的开口。

 

具体实施方式

实施例:1

如图1所示,一种防止下垂的掩模框架,包括边框1和支撑条2,所述边框1和支撑条2一体成型,处于同一水平面上。所述支撑条2相互平行,纵向排列。所述支撑条2之间有空隙,切该空隙尺寸大于或等于掩模板图形区域开口的尺寸,所述支撑条的宽度小于或等于掩模板图形区域开口之间的间隙。所述支撑条2之间有空隙相等。

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