[发明专利]防止下垂的掩模框架及防止下垂的掩模组件无效
申请号: | 201210010752.7 | 申请日: | 2012-01-16 |
公开(公告)号: | CN103207518A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 魏志凌;高小平;郑庆靓;吴小燕 | 申请(专利权)人: | 昆山允升吉光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/64 | 分类号: | G03F1/64;G03F1/62 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 下垂 框架 模组 | ||
1.一种防止下垂的掩模框架,其特征在于,包括边框和支撑条,所述边框和支撑条一体成型。
2.根据权利要求1所述的掩模框架,其特征在于,所述支撑条之间纵向或横向相互平行。
3.根据权利要求2所述的掩模框架,其特征在于,所述支撑条之间有间隙。
4.根据权利要求3所述的掩模框架,其特征在于,所述支撑条之间的间隙大于或等于掩模板图形区域的开口;所述支撑条的宽度小于或等于掩模板图形区域开口之间的间隙。
5.根据权利要求2所述的掩模框架,其特征在于,还设有横向或纵向相互平行的支撑条与所述纵向或横向相互平行的支撑条垂直交叉,形成许多网格。
6.根据权利要求5所述的掩模框架,其特征在于,所述网格的尺寸大于或等于掩模板图形区域开口的尺寸,所述支撑条的宽度小于或等于掩模板图形区域开口之间的间隙。
7.根据权利要求1-6任一项所述的掩模框架,其特征在于,所述支撑条与所述边框处于同一水平面上。
8.根据权利要求1-6任一项所述的掩模框架,其特征在于,所述边框上具有满足蒸镀设备要求的结构设计。
9.一种防止下垂的掩模组件,其特征在于,包括权利要求1-8任一项所述的防止下垂的掩模框架和掩模板,所述防止下垂的掩模框架与所述掩模板焊接。
10.根据权利要求9所述的防止下垂的掩模组件,其特征在于,所述掩模框架的纵横向支撑条与所述掩模板纵横向图形区域间隙对齐,支撑条中心线上与掩模板图形区域间隙之间有焊接点,掩模框架边框边缘区域与掩模板边缘之间也有焊接点,所述掩模框架边框边缘区域是指掩模框架边框中心线到掩模框架边框外边线之间的区域。
11.根据权利要求9或10所述的防止下垂的掩模组件,其特征在于,所述支撑条与所述掩模板的制作材料相同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山允升吉光电科技有限公司,未经昆山允升吉光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210010752.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种浇灌器
- 下一篇:重度乳糜血快速检测方法
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备