[发明专利]三维立体蒸镀掩模板的复合制备工艺

说明书

技术领域

本发明设计一种金属掩模板的复合制备工艺，属于材料制备和加工技术领域，具体涉及到一种三维立体蒸镀用金属掩模板的复合制备工艺。

背景技术

随着OLED产品的日渐丰富，单一的平面网板已经不能满足现有市场的需求。现在市场需求越来越追求个性，时尚，产品已经由过去单一的平面，逐渐发展成曲面、高低台面，并且伴有镂空或凸起设计。在高精密制造领域，即使是基体表面很小的凸凹部位也会受到掩模板的影响而产生变形，导致产品的报废。在现有蒸镀工艺中，只停留在二维蒸镀掩模板的使用上，急需研制新的掩模板应用于OLED封装工艺。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种三维立体蒸镀掩模板的复合制备工艺，其生产出来的三维立体蒸镀掩模板,具有凹陷区域和凸起区域，该掩模板精度高、均匀性高，板面质量和开口质量好，线性热膨胀系数极小，很好地满足蒸镀要求，将三维立体印刷模板的技术运用于OLED封装工艺。

为了解决上述技术问题，本发明采取的技术方案如下：

一种三维立体蒸镀掩模板的复合制备工艺，其特征在于，所述制备工艺步骤包括：

A. 三维立体芯模的制备工艺;

B. 三维立体蒸镀掩模板的制备工艺。

所述步骤A中的三维立体芯模的制备工艺包括：

芯模处理；

前处理；

双面贴膜；

单面曝光a；

单面显影a；

蚀刻；

芯模后续处理。

优选的，所述芯模处理包括，选取1.8mm厚的不锈钢板作为芯模材料，将芯模切割成为800mm×600mm的尺寸大小；

所述前处理包括，将芯模除油、酸洗、喷砂，以去除表面的油渍杂质，并将表面打磨光滑；

所述双面贴膜包括，将芯模的双面进行贴膜，并撕去一面的干膜保护膜，保留另一面的干膜保护膜，防止被蚀刻液腐蚀；

所述单面曝光a包括，将芯模的双面撕去保护膜的一面进行曝光，即将形成电铸掩模板的一面的三维立体区域凸起区域以外的区域曝光，将凸起区域的干膜显影去除； 将芯模另外的一面曝黑；

所述单面显影a包括，将所述单面曝光a步骤中的未曝光部分显影，即单面显影区域为掩模板凸起区域；留下曝光后的干膜以作后续蚀刻步骤的保护膜，以备将芯模蚀刻成厚度均一的具有三维立体区域的芯膜；

所述单面蚀刻包括，蚀刻区域即为所述单面显影a步骤中的未曝光区域，在芯模上蚀刻出一个凹陷区域，形成三维立体芯模，为后续电铸三维立体蒸镀掩模板做准备；刻蚀后即可形成厚度均一的具有三维立体芯模；

所述芯模后续处理包括，将三维立体芯模进行除油、酸洗。

所述步骤B中的三维立体蒸镀掩模板的制备工艺如下：

芯模处理；

单面贴膜；

单面曝光b；

单面显影b；

电铸；

剥离。

优选的，所述芯模处理包括，将三维立体芯模具有凹陷区域的一面进行喷砂；

所述单面贴膜包括，将三维立体芯模具有凹陷区域的一面进行贴膜；

所述单面曝光包括，将三维立体芯模上图形开口区域曝光；

所述单面显影包括，将所述单面曝光步骤中未曝光部分显影，留下曝光的部分以作后续电铸步骤的保护膜；

所述电铸包括，在制作好的三维立体芯模上电沉积上金属材料，形成三维立体蒸镀掩模板；

所述剥离包括，将三维立体蒸镀掩模板从芯模上剥离。

所述的芯模为不锈钢材料，基板的尺寸800mm×600mm×1.8mm。

优选的，所述曝光和显影的工艺参数如下：

单面曝光a量为80-200 mj；

单面曝光a时间为180-300 s；

单面显影a时间为120-300 s；

单面曝光b量为500-1500 mj；

单面曝光b时间为900-2400 s；

单面显影b时间为180-300 s。

优选的，蚀刻的工艺参数的如下：

蚀刻液温度为50℃；

蚀刻液喷射压力为14 psi；

蚀刻时间为40-80 min。

所述电铸步骤为在制作好的三维立体芯模上电沉积上金属材料，形成三维立体蒸镀掩模板，所述电铸工艺参数范围如下：

电流密度为2.0-3.0 A/m2；

电铸时间为40-240 min；

温度为60℃；