[发明专利]减小器件负偏压温度不稳定性效应的方法及器件制造方法

权利要求书

1.一种减小器件负偏压温度不稳定性效应的方法，其特征在于包括：在光刻以形成MOS半导体器件的多晶硅栅极之前，对多晶硅执行氘掺杂，并且在光刻以形成MOS半导体器件的多晶硅栅极之后，形成栅极侧墙。

2.根据权利要求1所述的减小器件负偏压温度不稳定性效应的方法，其特征在于，所述MOS半导体器件为P型MOS半导体器件。

3.根据权利要求1或2所述的减小器件负偏压温度不稳定性效应的方法，其特征在于，在对多晶硅执行氘掺杂的步骤中，通过多晶硅的离子注入工艺执行氘掺杂。

4.根据权利要求3所述的减小器件负偏压温度不稳定性效应的方法，其特征在于，在对多晶硅执行氘掺杂的步骤中，使氘进入多晶硅栅SiO₂/Si界面形成Si-D键，钝化SiO₂/Si界面的Si悬挂键，或者取代器件中原有的Si-H键。

5.根据权利要求1或2所述的减小器件负偏压温度不稳定性效应的方法，其特征在于，在对多晶硅执行氘掺杂的步骤中，控制离子注入的剂量和能量，以使氘在靠近SiO₂/Si界面或者其附近，并且在界面处氘的浓度达到最高。

6.一种半导体器件制造方法，其包括：

进行阱注入形成阱；

制作栅极绝缘层；

栅极多晶硅的淀积；

光刻以形成MOS半导体器件的多晶硅栅极；

形成栅极侧墙；

形成掺杂源漏结构；

源漏注入形成源漏极；以及

制作金属前介质、通孔、金属插塞和金属层；

其特征在于，所述半导体器件制造方法还包括：在光刻以形成MOS半导体器件的多晶硅栅极之前，对多晶硅执行氘掺杂，并且在光刻以形成MOS半导体器件的多晶硅栅极之后，形成栅极侧墙。

7.根据权利要求6所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述MOS半导体器件为P型MOS半导体器件。

8.根据权利要求6或7所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在对多晶硅执行氘掺杂的步骤中，通过多晶硅的离子注入工艺执行氘掺杂。

9.根据权利要求8所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在对多晶硅执行氘掺杂的步骤中，使氘进入多晶硅栅SiO₂/Si界面形成Si-D键，钝化SiO₂/Si界面的Si悬挂键，或者取代器件中原有的Si-H键。

10.根据权利要求6或7所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在对多晶硅执行氘掺杂的步骤中，控制离子注入的剂量和能量，以使氘在靠近SiO₂/Si界面或者其附近，并且在界面处氘的浓度达到最高。