[其他]双波段焦平面阵列有效
申请号: | 201190001034.2 | 申请日: | 2011-12-14 |
公开(公告)号: | CN203932063U | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | R·E·玻恩弗洛恩德 | 申请(专利权)人: | 菲力尔系统公司 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;G01J3/10;H01L27/146;G01J3/36 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张春媛;阎娬斌 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 波段 平面 阵列 | ||
1.一种双波段焦平面阵列,其特征在于,包括:
读出集成电路;
多个光电聚合物像素,用于吸收可见光和/或短波红外辐射,每个光电聚合物像素电耦接至读出集成电路;及
多个微辐射热测定仪,用于检测长波红外辐射,每个微辐射热测定仪经由接触腿电耦接至读出集成电路,该接触腿布置在相邻微辐射热测定仪之间和相邻光电聚合物像素之间。
2.如权利要求1所述的双波段焦平面阵列,其特征在于,其中,每个光电聚合物像素由有机聚合物组成,有机聚合物包括聚噻吩、聚苯撑乙烯、或[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯中的一个。
3.如权利要求1所述的双波段焦平面阵列,其特征在于,其中,每个微辐射热测定仪包括单层或多层结构,该单层或多层结构包括辐射吸收层和电活性材料,该辐射吸收层由氮化硅、二氧化硅或氮氧化硅中的一个组成,该电活性材料由非晶硅、非晶硅锗或氧化钒中的一个组成。
4.如权利要求1所述的双波段焦平面阵列,其特征在于,其中,每个微辐射热测定仪包括单层或多层结构,该单层或多层结构包括辐射吸收层和电活性材料,并且每个微辐射热测定仪布置在每个光电聚合物像素上方,并且每个光电聚合物像素布置在读出集成电路和每个微辐射热测定仪辐射吸收层之间。
5.如权利要求1所述的双波段焦平面阵列,其特征在于,还包括在每个光电聚合物像素和读出集成电路之间的金属接触层。
6.如权利要求1所述的双波段焦平面阵列,其特征在于,其中,至少一个接触腿是布置在相邻微辐射热测定仪之间的共享接触腿。
7.如权利要求1所述的双波段焦平面阵列,其特征在于,还包括布置在每个光电聚合物像素上的玻璃盖板层,用于电隔离每个光电聚合物像 素。
8.如权利要求1所述的双波段焦平面阵列,其特征在于,还包括电接触层,该电接触层将多个光电聚合物像素耦接至地线。
9.如权利要求8所述的双波段焦平面阵列,其特征在于,还包括布置在电接触层上的抗反射涂层。
10.如权利要求9所述的双波段焦平面阵列,其特征在于,其中,抗反射涂层最大化至光电聚合物像素的光传输,同时除去波长对应于多个微辐射热测定仪的感兴趣波段的光。
11.如权利要求1所述的双波段焦平面阵列,其特征在于,还包括耦接至读出集成电路的用于处理来自读出集成电路的图像信息输出的处理器,以及耦接至处理器的用于显示处理的图像信息的显示器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于菲力尔系统公司,未经菲力尔系统公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201190001034.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种改良结构的户外无线接入点
- 下一篇:红外贴和红外控制系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的