[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201180072259.1 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN103688346A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 胁本博树;荻野正明 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02;H01L21/76;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
在第一导电类型的半导体晶片的第一主表面上形成第一电极和作为半导体元件的栅电极的MOS栅结构、用于保持所述半导体元件的击穿电压的边缘终止区、以及围绕所述半导体元件和所述边缘终止区的第二导电类型的第一半导体区域的步骤；
形成从所述半导体晶片的第二主表面到达所述第一半导体区域的沟槽的步骤；
在所述半导体晶片的第二主表面中形成所述第二导电类型的第二半导体区域和在所述沟槽的侧壁中形成所述第二导电类型的第三半导体区域以电连接至所述第一半导体区域和所述第二半导体区域的步骤；以及
形成电连接至所述第二半导体区域的第二电极的步骤；
其中，在形成所述沟槽的步骤中，保留距离所述半导体晶片的外周端预定宽度的所述半导体晶片的部分并且在半导体晶片的外周端内形成所述沟槽。
2.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，
在形成所述沟槽的步骤中，所述沟槽被形成为使得从所述沟槽的所述侧壁到所述半导体晶片的外周端的距离等于或大于7mm。
3.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，
所述沟槽在截面图中具有梯形形状或弧形形状。
4.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，
在形成所述沟槽的步骤中，所述沟槽被形成为使得对应于所述沟槽的底部的所述半导体晶片的部分的厚度部分地较大。
5.如权利要求1至4中任一项所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，
在形成所述沟槽的步骤中，所述沟槽被形成为围绕所述半导体元件和所述边缘终止区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
