[发明专利]发光装置晶片级封装有效
| 申请号: | 201180065852.3 | 申请日: | 2011-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN103314457B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
| 发明(设计)人: | D.A.斯泰格瓦德 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L23/48 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘鹏;汪扬 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 装置 晶片 封装 | ||
1. 一种创建发光装置的方法,其包括:
在基板上形成发光结构,该发光结构具有与该基板相对的顶面且包含可在该顶面处通达的至少第一和第二电极,
在这些电极上形成第一绝缘层,且该绝缘层中的至少第一和第二开口用于分别接触该至少第一和第二电极,
在该绝缘层上形成绝缘壁,该绝缘壁经配置以提供该至少第一和第二开口之间的绝缘,以及
用导电材料填充绝缘壁之间的空间的至少一部分,该导电材料延伸至该至少第一和第二开口中以接触该至少第一和第二电极,
其中该绝缘壁和导电材料经配置以提供该发光元件的结构支撑以消除对基板的需要。
2. 如权利要求1的方法,其包含移除该基板的一些或全部。
3. 如权利要求1的方法,其包含:
在该导电材料上形成第二绝缘层,且至少另一开口用于接触该导电材料的至少一部分,以及
形成至少一个导电接触,所述至少一个导电接触通过该至少另一开口而耦合至该导电材料的该至少一部分。
4. 如权利要求1的方法,其包含:
在该导电材料上形成第二绝缘层,以及
在该第二绝缘层上形成至少一个热接触,该热接触与该导电材料电绝缘。
5. 如权利要求1的方法,其中该导电材料的至少一部分延伸至该发光装置的至少一个外部边缘。
6. 如权利要求1的方法,其中该绝缘壁为至少100微米高。
7. 如权利要求1的方法,其中该发光结构包含复数个发光元件。
8. 如权利要求7的方法,其中形成该绝缘壁包含提供该复数个发光元件的电极之间的电绝缘。
9. 如权利要求1的方法,其中复数个发光装置形成于该基板上,且该方法包含使这些发光装置单粒化。
10. 如权利要求1的方法,其包含在与该第一绝缘层相反的方向上形成超出该发光结构的波长转换层。
11. 如权利要求1的方法,其包含形成超出该发光结构的透镜元件。
12. 一种发光装置,其包括:
发光结构,其包含至少第一和第二电极,
第一绝缘层,其在与期望的光输出方向相反的方向上位于该至少第一和第二电极上,且该绝缘层中的至少第一和第二开口用于分别接触该至少第一和第二电极,
在该绝缘层上的一个或多个绝缘壁,该绝缘壁提供该至少第一和第二开口之间的绝缘,以及
导电材料,其位于该一个或多个绝缘壁的每个的任一侧上,该导电材料延伸至该至少第一和第二开口中以接触该至少第一和第二电极,
其中该绝缘壁和导电材料经配置以提供该发光元件的结构支撑。
13. 如权利要求12的装置,其包含:
第二绝缘层,其在该导电材料上,且至少另一开口用于接触该导电材料的至少一部分,以及
至少一个导电接触,其通过该至少另一开口而耦合至该导电材料的该至少一部分。
14. 如权利要求 12的装置,其包含:
第二绝缘层,其在该导电材料上,以及
至少一个热接触,其在该第二绝缘层上,该热接触与该导电材料电绝缘。
15. 如权利要求12的装置,其中该绝缘材料的至少一部分延伸至该发光装置的至少一个外部边缘。
16. 如权利要求12的装置,其中该绝缘壁为至少100微米高。
17. 如权利要求12的装置,其中该发光结构包含复数个发光元件。
18. 如权利要求17的装置,其包含介于该复数个发光元件的电极之间的电绝缘。
19. 如权利要求12的装置,其包含波长转换层。
20. 如权利要求12的装置,其包含透镜元件。
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