[发明专利]研磨垫及其制造方法以及玻璃基板的制造方法有效
申请号: | 201180022832.8 | 申请日: | 2011-03-22 |
公开(公告)号: | CN102883857A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 佐藤彰则;石坂信吉 | 申请(专利权)人: | 东洋橡胶工业株式会社 |
主分类号: | B24B37/24 | 分类号: | B24B37/24;B24B37/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 金龙河;穆德骏 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨 及其 制造 方法 以及 玻璃 | ||
技术领域
本发明涉及在对透镜、反射镜等光学材料、硅晶片、硬盘用玻璃基板以及铝基板等研磨对象物的表面进行研磨时使用的研磨垫(粗研磨用或者精研磨用)。本发明的研磨垫特别适合作为玻璃基板的粗研磨用研磨垫使用。
背景技术
一般而言,硅晶片等半导体晶片、透镜和玻璃基板等研磨对象物的镜面研磨有以调节平坦度和面内均匀度为主要目的的粗研磨以及以改善表面粗糙度和除去划痕为主要目的的精研磨。通常,如上所述,粗研磨时要求的研磨特性与精研磨时要求的研磨特性大大不同,因此,需要将粗研磨用研磨垫和精研磨用研磨垫分开使用。
作为用于粗研磨的研磨垫,提出了以下研磨垫。
例如,下述专利文献1中提出了具有约1~约3.6的30℃-90℃下的E’之比的研磨垫。另外,下述专利文献2中提出了一种化学机械研磨垫,其中,研磨基体在30℃下的储能模量E’(30℃)为120MPa以下,并且30℃下的储能模量E’(30℃)与60℃下的储能模量E’(60℃)之比(E’(30℃)/E’(60℃))为2.5以上。
上述专利文献中记载的研磨垫都非常硬,因此,将这些研磨垫用于粗研磨的情况下,虽然研磨对象物包括端部在内达到大致平坦,但其加工精度低,因此,需要用精研磨用研磨垫进行再次研磨。但是,在用精研磨用研磨垫对包括端部在内具有大致平坦的形状的研磨对象物进行研磨时,对研磨对象物的端部施加较大的按压力,因此,在端部的研磨量比在中央部的研磨量大,结果,存在会引起被称为“塌边”的端部的过度研磨现象这样的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特表2004-507076号公报
专利文献2:日本特开2006-114885号公报
发明内容
发明所要解决的问题
本发明是鉴于上述实际情况而完成的,其目的在于提供能够通过使粗研磨后的研磨对象物的端部形状成为羽状而使精研磨后的研磨对象物包括端部在内平坦的研磨垫以及使用该研磨垫的玻璃基板的制造方法。
用于解决问题的方法
为了解决上述问题,本发明人对粗研磨后的研磨对象物的端部形状与精研磨后的研磨对象物的端部形状的关系进行了深入研究。结果发现,通过使粗研磨后的研磨对象物的端部形状成为端部的厚度比中央部的厚度厚的形状、所谓的“羽状”,能够使精研磨后的研磨对象物包括端部在内平坦。
本发明基于上述研究的结果完成,利用如下所述的构成来实现上述目的。
即,本发明的研磨垫,具有由热固性聚氨酯发泡体构成的研磨层,所述研磨垫的特征在于,
上述热固性聚氨酯发泡体在水中浸渍24小时后的阿斯卡C硬度值以60秒值计为82以下,并且频率为1.6Hz时的拉伸储能模量E’(30℃)的值满足下述式(1):
Y<5X-150(1)
(式(1)中,Y为拉伸储能模量E’(MPa),X为在水中浸渍24小时后的阿斯卡C硬度值(60秒值))。
本发明的研磨垫被调节为使热固性聚氨酯发泡体在水中浸渍24小时后的阿斯卡C硬度值以60秒值计为82以下,并且使阿斯卡C硬度值和拉伸储能模量满足上述式(1)所示的关系,因此,在将该研磨垫特别用于粗研磨的情况下,粗研磨后的研磨对象物的端部形状成为羽状。使用精研磨用研磨垫对端部形状为羽状的研磨对象物进行精研磨时,能够使包括端部在内的研磨对象物的整个表面平坦。需要说明的是,对于将本发明的研磨垫特别用于粗研磨时、粗研磨后的研磨对象物的端部形状成为羽状的理由尚未明确,但认为是以下的理由。
在使用硬度高的研磨垫作为粗研磨用研磨垫的情况下,存在研磨对象物包括端部在内达到大致平坦的倾向。另一方面,如果使研磨垫的硬度适度变软、具体而言调节为使在水中浸渍24小时后的阿斯卡C硬度值以60秒值计为82以下并且使阿斯卡C硬度值和拉伸储能模量满足上述式(1)所示的关系,则在对研磨对象物进行研磨时研磨垫容易在拉伸方向上发生变形,结果,在研磨对象物的端部按压力降低,在研磨对象物的端部产生研磨速度低的区域。结果,在研磨对象物的端部的研磨量比在中央部的研磨量小,可以认为端部形状成为羽状。
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