[发明专利]等离子体处理装置用电介质窗、等离子体处理装置和等离子体处理装置用电介质窗的安装方法无效
申请号: | 201180013454.7 | 申请日: | 2011-03-24 |
公开(公告)号: | CN102792427A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 吉川弥;松本直树;吉川润 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/31;H05H1/46 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 用电 介质 安装 方法 | ||
1.一种等离子体处理装置,将微波作为等离子体源,该等离子体处理装置的特征在于:
具备大致为圆板状、传播所述微波的等离子体处理装置用电介质窗,
在所述等离子体处理装置用电介质窗中,在已配设于所述等离子体处理装置时生成等离子体的一侧的面的径向外侧区域,设置有排列成环状、向所述等离子体处理装置用电介质窗的板厚方向内侧凹入呈锥形状的第一电介质窗凹部,
在所述第一电介质窗凹部的径向内侧区域,设置有从生成所述等离子体的一侧的面朝向所述等离子体处理装置用电介质窗的板厚方向内侧凹入的多个第二电介质窗凹部,
多个所述第二电介质窗凹部,以所述等离子体处理装置用电介质窗的径向的中心为中心具有旋转对称性地分别在周向上隔开间隔地配置。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
具备隙缝天线板,该隙缝天线板大致为圆板状,设置有在板厚方向贯通的多个隙缝,配置在所述等离子体处理装置用电介质窗的上方侧,向所述等离子体处理装置用电介质窗放射所述微波。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述隙缝天线板具有多个隙缝对,该多个隙缝对由位于所述隙缝天线板的中心部侧的、向一个方向延伸的第一隙缝和向与所述一个方向垂直的方向延伸的第二隙缝构成,
所述第一隙缝孔以至少一部分与所述第二电介质窗凹部重合的方式设置。
4.如权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述隙缝天线板具有多个由第一隙缝和第二隙缝构成的隙缝对,所述第一隙缝向一个方向延伸,所述第二隙缝向与所述一个方向垂直的方向延伸,
当从板厚方向观察时,所述第二电介质窗凹部位于所述隙缝天线板中的所述第一隙缝的长边方向上的宽度的区域与所述第二隙缝的长边方向上的宽度的区域重合的区域。
5.如权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述隙缝天线板具有多个由第一隙缝和第二隙缝构成的隙缝对,所述第一隙缝向一个方向延伸,所述第二隙缝向与所述一个方向垂直的方向延伸,
在多个与设置有所述第二电介质窗凹部的位置相对应的位置,分别设置有多个所述隙缝对。
6.如权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
具备位置调整机构,当将所述等离子体处理装置用电介质窗安装在所述等离子体处理装置时,对所述等离子体处理装置用电介质窗的周向上的位置进行调整,
所述位置调整机构调整所述等离子体处理装置用电介质窗与所述隙缝天线板的周向上的相对位置。
7.如权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述隙缝的短边方向上的长度与长边方向上的长度之比为1/4以上且低于1。
8.一种等离子体处理装置用电介质窗,其特征在于:
配设于将微波作为等离子体源的等离子体处理装置,大致为圆板状,传播所述微波,
在所述等离子体处理装置用电介质窗中,在已配设于所述等离子体处理装置时生成等离子体的一侧的面的径向外侧区域,设置有排列成环状、向所述等离子体处理装置用电介质窗的板厚方向内侧凹入呈锥形状的第一电介质窗凹部,
在所述第一电介质窗凹部的径向内侧区域,设置有从生成所述等离子体的一侧的面朝向所述等离子体处理装置用电介质窗的板厚方向内侧凹入的多个第二电介质窗凹部,
多个所述第二电介质窗凹部,以所述等离子体处理装置用电介质窗的径向的中心为中心具有旋转对称性地分别在周向上隔开间隔地配置。
9.如权利要求8所述的等离子体处理装置用电介质窗,其特征在于:
所述第二电介质窗凹部为从生成所述等离子体的一侧的面朝向所述等离子体处理装置用电介质窗的板厚方向内侧笔直地凹入的形状。
10.如权利要求8所述的等离子体处理装置用电介质窗,其特征在于:
从所述等离子体处理装置用电介质窗的板厚方向观察时,所述第二电介质窗凹部为圆孔状。
11.如权利要求10所述的等离子体处理装置用电介质窗,其特征在于:
从所述等离子体处理装置用电介质窗的板厚方向观察时,圆孔状的多个所述第二电介质窗凹部的中心,分别位于以所述等离子体处理装置用电介质窗的径向的中心为中心的圆上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造