[发明专利]具有分级缓冲层的光伏器件

权利要求书

1.一种制造光伏器件的方法，包括：

形成与基底邻近的半导体吸收层，其中，半导体吸收层包括铜、铟、镓、硒和/或硫；

形成与半导体吸收层邻近的缓冲层，其中，形成缓冲层包括形成与半导体吸收层邻近且具有第一带隙的第一金属硫族化合物层，并形成与第一金属硫族化合物层邻近且具有第二带隙的第二金属硫族化合物层，其中，形成第一金属硫族化合物层包括使第一金属前驱体产生脉冲并使第一硫族前驱体产生脉冲，形成第二金属硫族化合物层包括使第二金属前驱体产生脉冲并使第二硫族前驱体产生脉冲。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一金属硫族化合物层包括形成一个或多个第一金属硫族化合物单分子层，形成第二金属硫族化合物层包括形成一个或多个第二金属硫族化合物单分子层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，各个第一金属硫族化合物单分子层包括相同的第一金属硫族化合物。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，各个第二金属硫族化合物单分子层包括相同的第二金属硫族化合物。

5.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在形成与基底邻近的半导体吸收层之前形成与基底相邻的导电层。

6.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：形成与缓冲层邻近的透明导电氧化物层。

7.根据权利要求6所述的方法，所述方法还包括：在形成与缓冲层邻近的透明导电氧化物层之前形成与缓冲层邻近的半导体窗口层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，第一金属前驱体和第二金属前驱体中的每个包括从由铟和锌构成的组中选择的材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，第一金属前驱体和第二金属前驱体中的每个包括从由三甲基铟、乙酰丙酮铟、氯化铟、二甲基锌和三甲基锌构成的组中选择的材料。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，第一硫族前驱体和第二硫族前驱体中的每个包括从由氧、硫和硒构成的组中选择的材料。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，第一硫族前驱体和第二硫族前驱体中的每个包括从由水、臭氧、二氧化硫、硫化氢、硒化氢和二乙基硒构成的组中选择的材料。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，第一金属硫族化合物层和第二金属硫族化合物层中的每个包括从由硫化铟、硒化铟、氧化铟、硫化锌、硒化锌和氧化锌构成的组中选择的材料。

13.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在形成第二金属硫族化合物层之前形成与第一金属硫族化合物层邻近的第三金属硫族化合物层，其中，第三金属硫族化合物层具有与第一带隙和第二带隙不同的带隙。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成第三金属硫族化合物层包括使第三金属前驱体产生脉冲并使第三硫族前驱体产生脉冲。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，第三金属硫族化合物层包括从由硫化铟、硒化铟、氧化铟、硫化锌、硒化锌和氧化锌构成的组中选择的材料。

16.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：在形成第二金属硫族化合物层之前形成与第三金属硫族化合物层邻近的第四金属硫族化合物层，其中，第四金属硫族化合物层具有与第三带隙和第二带隙不同的带隙。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，第四金属硫族化合物层包括从由硫化铟、硒化铟、氧化铟、硫化锌、硒化锌和氧化锌构成的组中选择的材料。

18.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括：在形成第二金属硫族化合物层之前形成与第四金属硫族化合物层邻近的第五金属硫族化合物层，其中，第五金属硫族化合物层具有与第四带隙和第二带隙不同的带隙。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，第五金属硫族化合物层包括从由硫化铟、硒化铟、氧化铟、硫化锌、硒化锌和氧化锌构成的组中选择的材料。

20.根据权利要求18所述的方法，所述方法还包括：在形成第二金属硫族化合物层之前形成与第五金属硫族化合物层邻近的第六金属硫族化合物层，其中，第六金属硫族化合物层具有与第五带隙和第二带隙不同的带隙。