[发明专利]溅射装置

说明书

技术领域

本发明涉及溅射装置。

背景技术

在基板上形成薄膜时，从成膜速度快等的优点出发，大多利用磁控溅射方式。在磁控溅射方式中，通过在标靶的后方设置由交替改变极性的多个磁铁构成的磁铁部件，用该磁铁部件在标靶的前方形成磁束捕捉电子，由此提高在标靶前方的电子密度，提高这些电子和导入真空腔内的气体的冲撞概率，增加等离子密度进行溅射。

可是，近年随着基板的大型化，磁控溅射装置也大型化。因此，已知有通过并列设置多个标靶能够对大面积的基板成膜的溅射装置（例如，参照专利文献1）。

专利文献1：特开2008-25031号公报（参照图2等）

但是，在专利文献1中记载的溅射装置中，在溅射时从标靶弹出的飞溅粒子未附着到基板上，而附着在标靶未侵蚀的区域，所谓的非侵蚀区域上。该附着的飞溅粒子容易因电弧放电等从标靶上脱落。而后，如果该脱落的飞溅粒子附着到基板上，则因为密合性低，所以在该部分上膜容易发生剥落，存在成膜特性降低的问题。

因而，本发明的课题在于解决上述以往技术的问题点，要提供一种抑制飞溅粒子向非侵蚀区域的附着，成膜特性高的溅射装置。

发明内容

本发明的溅射装置具备：真空腔、在标靶上施加电压的电源、在上述真空腔内导入气体的气体导入单元，上述标靶设置于与设置在该真空腔内的基板相对的位置，在上述标靶的端部具有覆盖该端部的上表面的密封部件。本发明的溅射装置由于具有密封部件，因而能够覆盖形成在标靶端部上的非侵蚀区域，能够抑制飞溅粒子向非侵蚀区域的附着。

在此，上述标靶隔开规定的间隔并列设置多个，上述密封部件覆盖相邻的上述标靶的相互相对的端部的上表面。由于具有覆盖相邻的标靶的相互相对的端部的上面的密封部件，因而能够覆盖形成在标靶端部上的非侵蚀区域的大部分，能够进一步抑制飞溅粒子向非侵蚀区域的附着。

另外，理想的是在相邻的上述标靶的被上述密封部件覆盖的区域上设置锥形。通过设置锥形，在标靶上难以形成非侵蚀区域，并且例如即使形成了非侵蚀区域，也因为形成锥形，所以与不形成锥形的情况相比飞溅粒子难以附着。另外，因为形成锥形，所以标靶和密封部件难以电连接。

另外，理想的是进一步设置密封部件以覆盖上述标靶的并列设置方向的两端的标靶端部的上表面。通过进一步设置该部分，能够进一步覆盖非侵蚀区域，进一步抑制飞溅粒子向非侵蚀区域的附着。

如果采用本发明的溅射装置，则能够抑制飞溅粒子向非侵蚀区域的附着，由此能够起到可以提高成膜特性的优异的效果。

附图说明

图1是实施方式1的溅射装置的模式剖面图。

图2是实施方式1的溅射装置中的标靶附近的模式剖面图。

图3是表示实施方式1的标靶以及密封部件的一部分的模式上面图。

图4是实施方式2的溅射装置中的标靶附近的模式剖面图。

图5是表示参照例以及比较例的测定结果的图表。

图6是实施方式3的溅射装置中的标靶附近的模式剖面图。

符号说明

1：溅射装置；11：真空腔；12：气体导入单元；13：标靶组合体；14：磁铁部件；20：密封部件；21：密封主体；22：凸缘部；23：支撑部件；41a、41b：标靶；42：密封部件；121a、121b：质量流量控制器；122：气体导入管；123a：气源；131a~131d：衬板；132a~132d：标靶；133a~133d：交流电源；141：支撑部；142：中央磁铁；143：周边磁铁；231：板形部；232：突起部；233：缔结材料；A1：侵蚀区域；A2：非侵蚀区域；S基板。

具体实施方式

（实施方式1）

以下说明本发明的溅射装置。

溅射装置1具备真空腔11。在溅射装置1上传送基板S，基板S在真空腔11的顶面一侧上用未图示的基板保持部将成膜面保持在向着地面一侧的状态。

在真空腔11的侧壁面上设置气体导入单元12。气体导入单元12通过架设在质量流量控制器121a、121b上的气体导入管122分别与气源123a、123b连接。在气源123a、124b中封入氩气等的溅射气体、H₂O、O₂、N₂等的反应气体，这些气体用质量流量控制器121a、121b能够以一定的流量导入到真空腔11中。