[发明专利]驱动非易失性逻辑电路的方法有效
申请号: | 201180007890.3 | 申请日: | 2011-02-25 |
公开(公告)号: | CN102742162A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 金子幸广 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H03K19/185 | 分类号: | H03K19/185;H01L21/822;H01L21/8246;H01L27/04;H01L27/10;H01L27/105 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 非易失性 逻辑电路 方法 | ||
1.一种驱动非易失性逻辑电路的方法,其特征在于:
具备以下的工序(a)~工序(c):
准备所述非易失性逻辑电路的工序(a),其中,
所述非易失性逻辑电路具备控制电极、强电介质膜、半导体膜和电极组,
所述控制电极、所述强电介质膜、所述半导体膜和所述电极组依次在所述控制电极上层叠,
所述电极组具备电源电极、输出电极、第一输入电极和第二输入电极,
其中,X方向、Y方向和Z方向分别是所述强电介质膜的长度方向、与所述长度方向正交的方向和所述层叠方向,
沿着X方向,所述第一输入电极夹在所述电源电极与所述第二输入电极之间,
沿着X方向,所述第二输入电极夹在所述第一输入电极与所述输出电极之间;
将选自第一状态、第二状态、第三状态和第四状态中的1个状态写入到所述非易失性逻辑电路的工序(b),其中,
V1、Va和Vb分别是施加于所述控制电极的电压、施加于所述第一输入电极的电压和施加于所述第二输入电极的电压,
在写入所述第一状态时,施加满足V1>Va和V1>Vb不等式的电压,
在写入所述第二状态时,施加满足V1<Va和V1>Vb不等式的电压,
在写入所述第三状态时,施加满足V1>Va和V1<Vb不等式的电压,
在写入所述第四状态时,施加满足V1<Va和V1<Vb不等式的电压,
所述第一状态是低电阻状态,
所述第二状态、所述第三状态和所述第四状态是高电阻状态;和
测定通过在所述电源电极与所述输出电极之间施加电压而产生的电流,基于所述电流决定所述非易失性逻辑电路具有所述高电阻状态和所述低电阻状态中的哪一个的工序(c)。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
在所述工序(a)与所述工序(b)之间,具备施加电压Vin于所述第一输入电极和所述第二输入电极、且施加电压Vreset于所述控制电极,来使所述非易失性逻辑电路复位的工序,其中,Vreset>Vin。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
在所述工序(b)中,
对所述第一输入电极输入真和假中的一个的第一输入信号,
对所述第二输入电极输入真和假中的一个的第二输入信号,
所述高电阻状态对应基于所述第一输入信号和所述第二输入信号的逻辑与的假,
所述低电阻状态对应基于所述第一输入信号和所述第二输入信号的逻辑与的真。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
在所述工序(b)与所述工序(c)之间,还具备切断所述非易失性逻辑电路的电源的工序。
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