[发明专利]压配合端子及半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及压配合端子及具有压配合端子的半导体装置，尤其是涉及能够不增大压配合端子向阴极电极即贯通孔压入时的压入力并降低与通孔的接触电阻的压配合端子构造。

背景技术

半导体装置中的电力半导体装置在铁路车辆、混合动力汽车、电动汽车等车辆、家用电器、工业机械等中被用于进行较大电力的控制、整流。因此，要求电力半导体装置所使用的半导体元件以超过100A/cm²的高电流密度通电。由此，近年来，作为代替硅（Si）的半导体材料，宽禁带半导体材料即碳化硅（SiC）倍受关注，由SiC构成的半导体元件与硅相比能够以更高的电流密度工作。

但是，在以高电流密度工作的电力半导体装置中，为了使让电流流过电力半导体装置的端子也适应大电流，需要使其截面积变大。由此，端子的热容量变大，软钎焊变得困难，谋求不需要软钎焊的端子。

作为不进行软钎焊的端子的连接方法，以往公知使端子向布线基板上的阴极电极即通孔压入并接触的压配合连接。在压配合连接中，通过压入后的压配合端子的回弹力，利用与通孔内壁的机械接触来进行电连接，因此接触力的维持是重要的技术课题。所以，提出了一种压配合端子，被集中在压入方向的两端部并沿垂直于压入方向的方向打开的压接部的形状在垂直于压入方向的截面中形成为相互反向的L字型，在相对于两端部变形的基础上，通过相对于L字形状的变形的回弹力提高接触力（例如，参照专利文献1。）。

现有技术文献

专利文献1:日本特开2007-265641号公报（0024、0030段，图3、图4、图5）

但是，将上述结构的压配合端子用于大电流流动的电力半导体装置时，需要降低端子的电阻，必须将端子的板厚保持在一定以上。但是，为了在垂直于压入方向的截面中形成为L字形状，需要拉深加工这样的特殊加工，使用厚板高精度地进行加工是困难的。

发明内容

本发明是为解决上述课题而研发的，其目的是提供一种压配合端子及具有该压配合端子的半导体装置，该压配合端子能够容易且高精度地进行加工，不使压入时的压入力增大地降低与阴极电极即通孔的接触电阻。

本发明的压配合端子是压入电触点用的通孔并用于进行电连接的压配合端子，其特征在于，沿厚度方向重叠多个压配合端子单体单元，该压配合端子单体单元由板材构成，具有：前端部，其形成为尖头状；压接部，其从所述前端部分支，以分支的部分的各个侧面隔开规定间隔地相对的方式形成，并被插入压接于所述通孔，所述多个压配合端子单体单元的各板厚比所述规定间隔或从所述前端部分支的部分的各宽度薄。

发明的效果

根据本发明的压配合端子，使厚度薄的压配合端子单体单元沿厚度方向重叠而构成压配合端子，从而能够得到一种压配合端子及具有该压配合端子的电力半导体装置，其能够容易且高精度地进行加工，并能够不使压入时的压入力增大地降低与通孔的接触电阻。

附图说明

图1是用于说明本发明的实施方式1的压配合端子的结构的图。

图2是用于说明本发明的实施方式1的压配合端子的结构的、用于说明阴极电极即布线基板通孔的结构的图。

图3是用于说明将本发明的实施方式1的压配合端子压入布线基板通孔时的状态的图。

图4是用于说明将本发明的实施方式1的压配合端子在压接部非一体化的情况下压入布线基板通孔时的状态的图。

图5是用于说明本发明的实施方式1的变形例的压配合端子的结构的图。

图6是用于说明本发明的实施方式1的变形例的压配合端子的结构的图。

图7是用于说明本发明的实施方式1的变形例的压配合端子的结构的图。

图8是用于说明本发明的实施方式1的变形例的压配合端子的结构的图。

图9是用于说明本发明的实施方式2的压配合端子的结构的图。

图10是用于说明本发明的实施方式3的压配合端子的结构的图。

图11是用于说明本发明的实施方式4的压配合端子的结构的图。

图12是用于说明将本发明的实施方式5的压配合端子压入布线基板通孔时的状态及尺寸关系的图。

图13是用于说明将本发明的实施方式6的压配合端子压入布线基板通孔时的状态及尺寸关系的图。

图14是用于说明本发明的实施方式7的电力半导体装置的内部结构的图。

图15是用于说明本发明的实施方式7的电力半导体装置的外观的图。