[实用新型]高出光效率蓝光LED芯片有效
| 申请号： | 201120571837.3 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN202434563U | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 华斌 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张利强 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高出光 效率 led 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种高出光效率蓝光LED芯片，其特征在于：它包括位于底层的蓝宝石基板（1）、生长于所述的蓝宝石基板（1）上方的n型GaN（2）和量子阱结构（3）、通过沉积和光刻制作于所述的量子阱（3）上方一层二维光子晶体结构（4）、生长于所述的二维光子晶体结构（4）上方的p型GaN（5），所产生的蓝光在二维光子晶体（4）内沿垂直于芯片表面方向传播发射到芯片外。
2.根据权利要求1所述的高出光效率蓝光LED芯片，其特征在于：所述的二维光子晶体结构（4）由SiO2材料制成。
3.一种高出光效率蓝光LED芯片，其特征在于：它包括位于底层的蓝宝石基板（1）、生长于所述的蓝宝石基板（1）上方的一层n型GaN（2）、通过沉积和光刻制作于所述的n型GaN（2）上方一层二维光子晶体结构（4）、生长于所述的二维光子晶体结构（4）上方的另一层n型GaN（2）、以及依次生长于所述的另一层n型GaN（2）上方的量子阱（3）和p型GaN（5），所产生的蓝光在二维光子晶体（4）内沿垂直于芯片表面方向传播发射到芯片外。
4.根据权利要求3所述的高出光效率蓝光LED芯片，其特征在于：所述的二维光子晶体结构（4）由SiO2材料制成。
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