[实用新型]一种具有多层抗反射膜的晶体硅太阳能电池

权利要求书

1.一种具有多层抗反射膜的晶体硅太阳能电池，包括硅基片、复合在硅基片表面上的扩散层、复合在扩散层上的抗反射层及电极，其特征在于：所述抗反射层由第一氮化硅膜、第二氮化硅膜及氧化硅膜在所述扩散层上从下至上依次复合构成。

2.根据权利要求1所述的具有多层抗反射膜的晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述硅基片为P型硅基片，所述扩散层为N型扩散层。

3.根据权利要求1或2所述的具有多层抗反射膜的晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述第一氮化硅膜及第二氮化硅膜均采用自发等离子体增强化学气相沉积法制成；所述氧化硅膜采用远距等离子体增强化学气相沉积法制成。

4.根据权利要求3所述的具有多层抗反射膜的晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述第一氮化硅膜的厚度范围是15～25nm，其折射率为2.0～2.1；所述第二氮化硅膜的厚度范围是60～80nm，其折射率为2.0～2.1；所述氧化硅膜的厚度范围是20～80nm，其折射率为1.4～1.7。