[实用新型]像素单元、阵列基板、液晶面板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种像素单元、阵列基板、液晶面板及显示装置。 

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，现已占据了平面显示领域的主导地位。薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)是目前主流的液晶显示器，其液晶面板包括阵列基板和彩膜基板。其中，阵列基板上设有栅线，垂直于所述栅线设有数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接。 

阵列基板是液晶显示的关键部件，而由薄膜晶体管和像素电极等构成的像素单元则是阵列基板的重要组成部分。传统的TN模式具有视角相对较小，无法满足高品质显示需求等特点。 

ADSDS(ADvanced Super Dimension Switch)，简称ADS，即高级超维场转换技术，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。在TFT-LCD近几年的生产过程中，ADS宽视角技术是一种先进的、可以有效扩大视角的技术方案，已广泛用于各大厂商的生产中。 

传统的ADS的像素单元结构为：包括一个薄膜晶体管和像素电极以及公共电极，其中，像素电极位于公共电极之上；一般情况下，像素电极位于最上层与薄膜晶体管的漏极相连接，公共电极位于最底层，与公共电极线相连。虽然，传统的ADS型液晶面板相对于传统的TN型，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。但是，传统的ADS由于自身的特点，其开口率仍然较小，无法满足高品质显示的需求。 

发明内容

本实用新型的实施例对传统的ADS进行了改进，提供一种新的I-ADS形式的像素单元，阵列基板、液晶面板、显示装置及其制造方法，以提高像素开口率、降低功耗、并提高显示品质。 

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案： 

本实用新型实施例提供一种像素单元，包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极，所述薄膜晶体管包括栅极、设置于所述栅极之上的栅绝缘层、设置于所述栅绝缘层之上有源层、设置于所述有源层之上的源极和漏极、以及设置于所述源极和漏极之上的钝化层，其特征在于，所述公共电极直接设置在所述钝化层之上；所述像素电极设置在所述钝化层之下，并与所述薄膜晶体管的漏极相连接。 

进一步地，所述像素电极与所述栅极设置在同一层，所述钝化层和所述像素电极之间设置有栅绝缘层，与所述公共电极同层的连接电极通过两个过孔分别连接所述薄膜晶体管的漏极和所述像素电极。 

进一步地，所述公共电极为狭缝状，所述像素电极为板状。 

进一步地，所述与所述公共电极同层的连接电极与所述公共电极为同一材料。 

进一步地，所述像素电极和/或所述公共电极为透明电极。 

进一步地，所述公共电极为ITO或IZO的单层膜，或者为ITO和IZO组成的复合膜。 

进一步地，所述钝化层为氧化物、氮化物、氮氧化物或有机树脂。 

本实用新型实施例还提供一种阵列基板，包括基板，所述基板上设有栅线，垂直于所述栅线设有数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，其特征在于，所述像素区域包括上述的像素单元，其中，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接，所述薄膜晶体管的源极与所述数据线连接。 

进一步地，所述像素单元的上方和下方均设置有栅线，所述像素单元的左侧和右侧均设置有数据线，且每相邻两行的像素单元之间仅设置有一条栅线，每相邻两列像素单元之间设置有一条数据线。 

进一步地，所述像素单元的上方和下方均设置有栅线，且每相邻两行所述像素单元之间设置有两条栅线；所述像素单元的左侧或右侧设置有数据线，且每相邻两条数据线之间包括两列所述像素单元。 

进一步地，所述薄膜晶体管的栅极与其所在的像素单元上方或下方的栅线连接，所述薄膜晶体管的源极与其所在的像素单元左侧或右侧的数据线连接，实现Z反转的像素结构。