[实用新型]像素单元、阵列基板、液晶面板及显示装置

权利要求书

1.一种像素单元，包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极，所述薄膜晶体管包括栅极、设置于所述栅极之上的栅绝缘层、设置于所述栅绝缘层之上有源层、设置于所述有源层之上的源极和漏极、以及设置于所述源极和漏极之上的钝化层，其特征在于，所述公共电极直接设置在所述钝化层之上；所述像素电极设置在所述钝化层之下，并与所述薄膜晶体管的漏极相连接。

2.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述像素电极与所述栅极设置在同一层，所述钝化层和所述像素电极之间设置有栅绝缘层，与所述公共电极同层的连接电极通过两个过孔分别连接所述薄膜晶体管的漏极和所述像素电极。

3.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述公共电极为狭缝状，所述像素电极为板状。

4.根据权利要求2所述的像素单元，其特征在于，所述与所述公共电极同层的连接电极与所述公共电极为同一材料。

5.根据权利要求1～4任一项所述的像素单元，其特征在于，所述像素电极和/或所述公共电极为透明电极。

6.根据权利要求1～4任一项所述的像素单元，其特征在于，所述公共电极为ITO或IZO的单层膜，或者为ITO和IZO组成的复合膜。

7.根据权利要求1～4任一项所述的像素单元，其特征在于，所述钝化层为氧化物、氮化物、氮氧化物或有机树脂。

8.一种阵列基板，包括基板，所述基板上设有栅线，垂直于所述栅线设有数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，其特征在于，所述像素区域包括权利要求1～7任一项所述的像素单元，其中，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接，所述薄膜晶体管的源极与所述数据线连接。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元的上方和下方均设置有栅线，所述像素单元的左侧和右侧均设置有数据线，且每相邻两 行的像素单元之间仅设置有一条栅线，每相邻两列像素单元之间设置有一条数据线。

10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元的上方和下方均设置有栅线，且每相邻两行所述像素单元之间设置有两条栅线；所述像素单元的左侧或右侧设置有数据线，且每相邻两条数据线之间包括两列所述像素单元。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的栅极与其所在的像素单元上方或下方的栅线连接，所述薄膜晶体管的源极与其所在的像素单元左侧或右侧的数据线连接，实现Z反转的像素结构。

12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述Z反转的像素结构具体为：

同列的奇数个像素单元中的薄膜晶体管的源极连接在该列两侧的数据线中的一条数据线上，偶数个像素单元中的薄膜晶体管的源极连接在该列两侧的数据线中另一条数据线上，且相邻两列中处于同一行的像素单元中的薄膜晶体管的源极连接不同的两条数据线；

同行的所述像素单元两两一组通过其包括的薄膜晶体管的栅极交替地分别连接在位于该行像素单元上方和下方的两条栅线上，且每条所述栅线连接的像素单元位于同一行；

两条相邻数据线之间的、两个同行且相邻的像素单元的薄膜晶体管的栅极分别连接在两条栅线上，源极分别连接在所述两条数据线上。

13.根据权利要求8～12任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极线，所述公共电极与所述公共电极线在阵列基板的周边通过过孔相连接。

14.根据权利要求8～12任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极延伸至其所在像素单元的上方和/或下方的栅线的上方，与所述栅线形成存储电容。

15.一种液晶面板，包括彩膜基板和根据权利要求8～14任一项所述的阵列 基板，所述彩膜基板上包括黑矩阵，其特征在于，在所述彩膜基板上，对应所述栅线的位置、对应所述数据线的位置以及对应相邻两条数据线之间的两列像素单元交界的位置，均设置有黑矩阵；其中，对应所述数据线的位置的黑矩阵的宽度为17-23um，对应相邻两条数据线之间的两列像素单元交界的位置的黑矩阵的宽度为6-10um。