[实用新型]一种有效收集衬底电流的LDMOS版图结构

权利要求书

1.一种有效收集衬底电流的LDMOS版图结构，其特征在于，包括P型体区、N型漂移区、源区、漏区、体引出区以及栅极区，所述P型体区与N型漂移区相邻，所述栅极区跨设于P型体区和N型漂移区上方，所述漏区位于所述N型漂移区中，所述源区、体引出区平行交替排列于P型体区中，所述源区、体引出区均通过栅极区与所述漏区分隔开，所述源区、体引出区均与所述栅极区的边界相接或部分重合。

2.如权利要求1所述的有效收集衬底电流的LDMOS版图结构，其特征在于，所述源区、漏区、体引出区以及栅极区上分别设置有若干接触孔。

3.如权利要求2所述的有效收集衬底电流的LDMOS版图结构，其特征在于，所述源区、漏区、体引出区的面积与所述接触孔的面积相适配。

4.如权利要求1所述的有效收集衬底电流的LDMOS版图结构，其特征在于，所述源区与体引出区相邻的边界相接，非相邻的边界相应对齐。

5.如权利要求1所述的有效收集衬底电流的LDMOS版图结构，其特征在于，所述源区与所述漏区为N型掺杂注入区，所述体引出区为P型掺杂注入区。