[实用新型]高压大功率手机充电芯片无效
| 申请号： | 201120063488.4 | 申请日： | 2011-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN201985099U | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 欧新华;杨利君;孙志斌 | 申请（专利权）人： | 上海芯导电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人： | 郭桂峰 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 大功率 手机 充电 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种高压大功率手机充电芯片，包括集电极、基极和发射极，所述集电极为从所述芯片的集电区引出，所述基极为从所述芯片的基区引出，所述发射极为从所述芯片的发射区引出，
其特征在于：
所述集电区为一长方形区域，所述发射区环绕所述集电区的任意三边。
2.根据权利要求1所述的高压大功率手机充电芯片，其特征在于：所述集电区的扩散深度范围为10微米至15微米。
3.根据权利要求1所述的高压大功率手机充电芯片，其特征在于：所述集电极的材料为锗、硅、碳、锗硅、硅碳或锗硅碳。
4.根据权利要求1所述的高压大功率手机充电芯片，其特征在于：所述基区的扩散深度范围为10微米至15微米。
5.根据权利要求1所述的高压大功率手机充电芯片，其特征在于：所述基极的材料为锗、硅、碳、锗硅、硅碳或锗硅碳。
6.根据权利要求1所述的高压大功率手机充电芯片，其特征在于：所述发射区的扩散深度范围为10微米至15微米。
7.根据权利要求1所述的高压大功率手机充电芯片，其特征在于：所述发射极的材料为锗、硅、碳、锗硅、硅碳或锗硅碳。
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