[发明专利]用于持续沉积的设备和过程中CdTe的时间上可变的沉积速率

权利要求书

1.一种用于将升华的源材料气相沉积为光伏模块基板(14)上的薄膜的设备(100)，所述设备(100)包括：

沉积头(110)；

设在所述沉积头(110)中的容器(116)，所述容器(116)配置成用于接收颗粒状源材料；

设在所述容器(116)下方的加热的分发管汇(124)，所述加热的分发管汇(124)配置成将所述容器(116)加热到足够使所述容器(116)内的源材料升华的程度；以及

分发板(152)，其设在所述分发管汇(124)下方以及设在输送通过所述设备(100)的基板(14)的上表面的水平输送面上方限定的距离处，所述分发板(152)限定经由其中的通道(153)的样式，以及其中将所述通道(153)的样式配置成对升华的源蒸气流在第一纵向端(160)处比在第二纵向端(161)处提供更大的阻力。

2.根据权利要求1所述的设备(100)，其中，所述通道(153)具有在与所述基板(14)行进的方向平行的纵向方向中递增的平均面积，以使沿着所述分发板(152)的所述第一纵向端(160)的所述通道(153)的平均面积小于沿着所述分发板(152)的所述第二纵向端(161)的所述通道(153)的平均面积。

3.根据权利要求1或2所述的设备(100)，其中，所述通道(153)具有通过形成分段式分发板(152)的多个分段以步进式样式递增的平均面积，以使沿着所述分发板的所述第一纵向端(160)的所述通道(153)的平均面积小于沿着所述分发板(152)的所述第二纵向端(161)的所述通道的平均面积。

4.根据权利要求3所述的设备(100)，其中，所述通道(153)的样式限定第一通道(163)的第一分段(162)、第二通道(165)的第二分段(164)和第三通道(167)的第三分段(166)，其中所述第一分段(162)邻近所述第一纵向端(160)，所述第二分段(164)位于所述第一分段和第三分段(162)、(166)之间，以及所述第三分段(166)邻近所述第二纵向端(161)，以及其中第二通道(165)具有的平均面积大于所述第一通道(163)的平均面积，以及所述第三通道(167)具有的平均面积大于所述第二通道(165)的平均面积。

5.根据权利要求4所述的设备(100)，其中，所述第二分段(165)的平均面积是所述第一通道(163)的平均面积的约1.1到约2.5倍，以及其中所述第三分段(167)的平均面积是所述第二通道(165)的平均面积的约1.1到约2.5倍。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的设备(100)，其中，所述通道(153)的样式具有在与所述基板行进的方向平行的纵向方向中递增的通道密度，以使邻近所述第一纵向端(160)的第一通道密度小于邻近所述第二纵向端(161)的第二通道密度。

7.根据权利要求6所述的设备(100)，其中，所述通道(153)在整个所述分发板(152)上具有基本相同的平均面积。

8.根据权利要求6或7所述的设备(100)，其中，所述通道(153)的样式具有在与所述基板行进的方向平行的纵向方向中通过所述多个分段以步进式样式递增的通道密度，以使邻近所述第一纵向端(160)的第一通道密度小于邻近所述第二纵向端(161)的第二通道密度。

9.一种用于将升华的源材料气相沉积为光伏模块基板(14)上的薄膜的设备(100)，所述设备(100)包括：

沉积头(110)；

设在所述沉积头(110)中的容器(116)，所述容器(116)配置成用于接收颗粒状源材料；

设在所述容器(116)下方的加热的分发管汇(124)，所述加热的分发管汇(124)配置成将所述容器加热到足够使所述容器(116)内的源材料升华的程度；

设在所述分发管汇(124)下方的第一分发板(152)，其中所述第一分发板(152)限定经由其中的通道(153)的第一样式；以及

第二分发板(170)，其设在所述第一分发板(152)下方以及设在输送通过所述设备(100)的基板(14)的上表面的水平输送面上方限定的距离处，所述第二分发板(170)限定经由其中的通道的第二样式，以及其中将所述通道的样式配置成对升华的源蒸气流在第一纵向端(160)处比在第二纵向端(161)处提供更大的阻力。