[发明专利]加热系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种加热系统，特别是一种化学气相沉积装置的加热系统。

背景技术

所谓化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)是指利用热能、电浆放电或紫外光照射等形式的能源，使气态物质在固体表面上发生化学反应，并在该表面上沉积，形成稳定固态膜的过程。化学气相沉积(CVD)技术是半导体积体电路工艺中运用极广泛的薄膜成长方法，如介电质、半导体、导体等薄膜材料，几乎都能用CVD技术完成。

请参阅图1，为现有有机金属化学气相沉积装置的示意图。如图所示，一般有机金属化学气相沉积(MOCVD)装置包含有一进气头(shower head)12、一反应腔14、一石墨基座18、一加热器19及至少一排气管线17。石墨基座18上设置一载盘16后，再将基板15置于载盘16上加热。反应气体由进气头12进入反应腔14后，与高温基板15产生反应而于基板15上形成目标材质的沉积层。反应后的残余气体则由排气管线17排除。

请参阅图2及图3，分别为现有加热器的电阻片示意图及加热器的局部剖面图。现有的加热器包含有多个电阻片22、24，各电阻片22、24通常分布于一加热平面20。各电阻片22、24分别包含有一第一端221、241及一第二端223、243，如图2所示。

电阻片22、24的两端(221、241)分别设有一垂直接线端321、341，各垂直接线端321、341分别与对应的电极38连接，并于连接处形成一电性耦合处386。为了避免电性耦合处386接触腐蚀性气体，现有技术通过一输气管39提供吹净气体至电极38以及电性耦合处386附近，以降低腐蚀气体接触电性耦合处386的机会。然而，单点吹气方式所提供气流的分布并不均匀，也可能因排气管线17作业时造成气流扰动，而使部分腐蚀气体与电性耦合处接触。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种可防止加热元件与电极的耦合处因与腐蚀性气体接触而变质，确保各耦合处均具有良好的导电率的加热系统。

为了实现上述目的，本发明提供了一种加热系统，包含：至少一加热元件；至少一电极，与加热元件的一端电性耦合于一耦合处；以及一吹净气体模块，吹净气体模块围绕耦合处，以避免腐蚀性气体接触耦合处。

上述的加热系统，加热元件包含一平面电阻片以及两个垂直接线端各别连接平面电阻片的两端。

上述的加热系统，平面电阻片以及两个垂直接线端为一体成型。

上述的加热系统，平面电阻片以及两个垂直接线端为分离部件。

上述的加热系统，还包含一导电固定模块，用以固定加热元件与电极，并提供两者导电接触面积。

上述的加热系统，导电固定模块包含一螺丝锁固元件。

上述的加热系统，导电固定模块包含至少一夹持固定元件。

上述的加热系统，导电固定模块包含一第一夹持固定元件以夹持加热元件，一第二夹持固定元件以夹持电极，第一夹持固定元件与第二夹持固定元件通过一连接元件彼此固定。

上述的加热系统，具有多个加热元件与多个电极，每一电极与每一加热元件的一端电性耦合于一耦合处，吹净气体模块具有至少一个气体通道，每一气体通道用以围绕一耦合处。

上述的加热系统，还包含一冷却模块，设置于加热元件与吹净气体模块之间。

上述的加热系统，冷却模块具有多个冷却液通道。

上述的加热系统，冷却模块与吹净气体模块为一体成型。

上述的加热系统，冷却模块与吹净气体模块为分离部件。

上述的加热系统，吹净气体模块还包含一第一出气口，第一出气口围绕邻近耦合处的加热元件，以便于导引吹净气体流经耦合处后再由加热元件一侧流出。

上述的加热系统，吹净气体模块还包含一第二出气口，第二出气口围绕邻近耦合处的电极，以便于导引吹净气体流经电性耦合处后再由电极一侧流出。

本发明的技术效果在于：利用本发明的加热系统，可防止加热元件与电极的耦合处因与腐蚀性气体接触而变质，确保各耦合处均具有良好的导电率，不会因耦合处劣化而产生额外的能源浪费的情形。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为有机金属化学气相沉积装置的示意图；

图2为现有加热器电阻片的示意图；

图3为现有加热器的局部剖面图；

图4为本发明一实施例的立体图；

图5为本发明一实施例的局部剖面图；

图6为本发明另一实施例的局部剖面图；