[发明专利]平板型只读存储器中页选择管的版图布设结构

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路布图领域，特别涉及平板型(Flat-Cell)只读存储器(ROM)器件版图(Layout)布设技术领域，具体是指一种平板型只读存储器中页选择管的版图布设结构。

背景技术

现有技术中，只读存储器简称ROM(READ-ONLY-MEMORY)是一种固定存储器，它把需要长期存放的数据固定在这种存储器中，所存的内容在断电情况下也不会丢失。

掩膜版ROM是芯片在生产厂制造时就把需要存储的内容用电路结构固定下来的。它有很多种实现方式，其中的Flat-Cell ROM在工艺实现上可以最大限度的利用光刻之极限，采用无场氧工艺，可以在只增加少量光刻版的情况下大大缩减ROM面积。

目前，市场上的Flat-Cell ROM工艺大多采用0.35微米及以下工艺，为了满足存储器单元(Memory Cell)效率的需求，存储器阵列(Memory Array)一般采用工艺所能接受最小条宽间距，而存储器单元的数据读出一般是左右位元选择管(left-right bit selection transistors)来实现，这个选择管实际起到了存储页选择的作用。在高密度的存储器阵列中加入页选择管，版图布局设计尤其重要，既要追求芯片面积的最小化，又要保证工艺实现的窗口容限。

发明内容

本发明的目的是克服了上述现有技术中的缺点，提供一种能够实现布图面积最小化、不影响存储器阵列的整体分布、结构简单、工作性能稳定可靠、适用范围较为广泛的平板型只读存储器中页选择管的版图布设结构。

为了实现上述的目的，本发明的平板型只读存储器中页选择管的版图布设结构具有如下构成：

该平板型只读存储器中页选择管的版图布设结构，其主要特点是，所述的页选择管设置于只读存储器阵列区域中，该页选择管位于所述的只读存储器阵列的两端位置，且该页选择管与只读存储器阵列中的存储器单元为同种类型的晶体管结构。

该平板型只读存储器中页选择管的版图布设结构中的页选择管包括左位元选择管和右位元选择管，所述的左位元选择管和右位元选择管分别位于所述的只读存储器阵列的两端位置。

该平板型只读存储器中页选择管的版图布设结构中的页选择管的栅极为多晶硅，该页选择管的源极和漏极均为N型埋层扩散区。

该平板型只读存储器中页选择管的版图布设结构中的只读存储器阵列中的一列存储器单元的漏极输出端具有延长连线，所述的延长连线与该列存储器单元所对应的页选择管的源极相连接，且该页选择管的漏极通过金属层和金属接触窗口与外部电路相连接。

该平板型只读存储器中页选择管的版图布设结构中的N型埋层扩散区呈条状。

该平板型只读存储器中页选择管的版图布设结构中的该条状N型埋层扩散区的尾端呈T字型。

采用了该发明的平板型只读存储器中页选择管的版图布设结构，由于其中将页选择管置于ROM阵列区域中，将其中的左右位元选择管分别位于存储器阵列的两端，并与存储器单元采用同种类型的晶体管结构，从而实现了左右位元选择管分开排布，单边管子数量减半，使得版图布局更加具有弹性，在完成逻辑功能的前提下，版图结构得到了优化，不影响存储器阵列的整体分布，结构简单，连线很短并且无需弯折，既保证了ROM阵列面积最小化，又减小了工艺制程中漏电失效的风险，实现方式简单，无需增加额外层次，有效提高了良率，显著降低了成本，工作性能稳定可靠，适用范围较为广泛。

附图说明

图1为本发明的平板型只读存储器中页选择管的版图布设结构中页选择管对应的逻辑结构示意图。

图2为本发明的平板型只读存储器中页选择管的版图布设结构示意图。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本发明的技术内容，特举以下实施例详细说明。

请参阅图1和图2所示，该平板型只读存储器中页选择管的版图布设结构，其中，所述的页选择管设置于只读存储器阵列区域中，该页选择管位于所述的只读存储器阵列的两端位置，且该页选择管与只读存储器阵列中的存储器单元为同种类型的晶体管结构。

其中，所述的页选择管包括左位元选择管和右位元选择管，所述的左位元选择管和右位元选择管分别位于所述的只读存储器阵列的两端位置。