[发明专利]平板型只读存储器中页选择管的版图布设结构

权利要求书

1.一种平板型只读存储器中页选择管的版图布设结构，其特征在于，所述的页选择管设置于只读存储器阵列区域中，该页选择管位于所述的只读存储器阵列的两端位置，且该页选择管与只读存储器阵列中的存储器单元为同种类型的晶体管结构。

2.根据权利要求1所述的平板型只读存储器中页选择管的版图布设结构，其特征在于，所述的页选择管包括左位元选择管和右位元选择管，所述的左位元选择管和右位元选择管分别位于所述的只读存储器阵列的两端位置。

3.根据权利要求1所述的平板型只读存储器中页选择管的版图布设结构，其特征在于，所述的页选择管的栅极为多晶硅，该页选择管的源极和漏极均为N型埋层扩散区。

4.根据权利要求3所述的平板型只读存储器中页选择管的版图布设结构，其特征在于，所述的只读存储器阵列中的一列存储器单元的漏极输出端具有延长连线，所述的延长连线与该列存储器单元所对应的页选择管的源极相连接，且该页选择管的漏极通过金属层和金属接触窗口与外部电路相连接。

5.根据权利要求3或4所述的平板型只读存储器中页选择管的版图布设结构，其特征在于，所述的N型埋层扩散区呈条状。

6.根据权利要求5所述的平板型只读存储器中页选择管的版图布设结构，其特征在于，所述的该条状N型埋层扩散区的尾端呈T字型。