[发明专利]背板的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及背板的制作方法。

背景技术

在现代大规模的集成电路制造工艺中，磁控溅射以其溅射率高、基片温升低、膜-基结合力好等优势成为了最优异的基片镀膜工艺。

在磁控溅射镀膜工艺中，靶材组件由符合溅射性能的靶材和与所述靶材结合、具有一定强度的背板构成。所述背板不仅在所述靶材组件装配至溅射基台中起到支撑作用，而且其具有传导热量的功效，用于磁控溅射工艺中靶材的散热。在磁控溅射镀膜过程中，靶材组件工作环境较为苛刻。靶材组件处于高温、高压电场和磁场强度较大的磁场中，且正面在10^-9Pa的高真空环境下，受到各种高能量离子轰击，致使靶材发生溅射，而溅射出的中性的靶材原子或分子沉积在基片上形成薄膜。在溅射的过程中靶材组件的背板由于晶粒涨大和晶粒不均匀，导致背板扭曲变形，一方面直接造成靶材各部分与硅片基底间的偏差，使镀膜的参数异常，影响后续制成的集成电路质量，另一方面会影响溅射靶材的使用寿命。

因此，在制作背板时需要通过锻打工艺来均匀细化背板的晶粒，靶材组件应用该背板能够提高使用效率和使用寿命。但是，目前锻打工艺均匀细化背板的晶粒的方法还不成熟。以黄铜背板为例，黄铜背板中含有一定量的锌元素，锌为体心立方金属，背板在锻打过程中易出现温脆性的现象；同时，由于黄铜背板中还存在微量的铅、铋有害杂质与背板金属铜形成低熔点共晶薄膜分布在晶界上，锻打过程中易产生晶间破裂的现象。

因此，有必要提出一种新的背板的制作方法，以克服现有技术的背板的晶粒不够均匀和不够细化的缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种背板的制作方法，以得到内部组织结构均匀和足够细化的背板，防止背板扭曲变形。

为解决上述间题，本发明一种背板的制作方法，其特征在于，包括：

提供背板铸件；

在800℃～1000℃，对所述背板铸件进行锻打，形成背板坯料；

对所述背板坯料进行处理，形成背板。

可选的，所述锻打包括五个阶段，分别为第一阶段锻打、第二阶段锻打、第三阶段锻打、第四阶段锻打和第五阶段锻打。

可选的，在所述第一阶段锻打之前、所述第一阶段锻打和所述第二阶段锻打之间、所述第三阶段锻打和所述第四阶段锻打之间、所述第四阶段锻打和所述第五阶段锻打之间进行热处理。

可选的，所述热处理的温度为800℃～1000℃。

可选的，所述第一阶段锻打为压缩锻打，所述第一阶段锻打后的尺寸为第一阶段锻打前尺寸的三分之一至二分之一，形成第一阶段锻打中间体；

所述第二阶段锻打为拉伸锻打，所述第二阶段锻打前的尺寸为第二阶段锻打后尺寸的三分之一至二分之一，形成第二阶段锻打中间体；

所述第三阶段锻打为压缩锻打，所述第三阶段锻打后的尺寸为第三阶段锻打前尺寸的三分之一至二分之一，形成第三阶段锻打中间体；

所述第四阶段锻打为拉伸锻打，所述第四阶段锻打前的尺寸为第四阶段锻打后尺寸的三分之一至二分之一，形成第四阶段锻打中间体；

所述第五阶段锻打为压缩锻打，所述第五阶段锻打后的尺寸为第五阶段锻打前尺寸的三分之一至二分之一，形成背板坯料。

可选的，将所述第一阶段段打中间体顺时针翻转80度～100度进行锻打形成第二锻打中间体，将所述第二阶段锻打中间体顺时针翻转80度～100度进行锻打形成第三锻打中间体，将所述第三阶段锻打中间体顺时针翻80度～100度进行锻打形成第四锻打中间体。

可选的，将所述第一阶段段打中间体逆时针翻转80度～100度进行锻打形成第二锻打中间体，将所述第二阶段锻打中间体逆时针翻转80度～100度进行锻打形成第三锻打中间体，将所述第三阶段锻打中间体逆时针翻转80度～100度进行锻打形成第四锻打中间体。

可选的，每个阶段锻打的所述锻打的时间为2min～3min。

可选的，每个阶段锻打的所述锻打的压力为300吨～850吨。

可选的，所述对所述背板坯料进行处理为固溶时效处理。

可选的，所述固溶时效处理分两步骤进行，分别为第一步骤和第二步骤，所述第一步骤的温度为500℃～800℃，并且保温2h～4h，所述第二步骤的温度为200℃～500℃，并且保温1h～3h。

可选的，形成所述背板铸件的方法为对金属料件进行熔融铸件处理。

可选的，所述金属料件为铜合金、铝合金或者为硬度、导电性和铜类似的金属或合金。