[发明专利]一种可提高PN结反向击穿电压的装置有效
| 申请号： | 201110448439.7 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102456719B | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 秦明;张睿 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 王鹏翔 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 pn 反向 击穿 电压 装置 | ||
1.一种可提高PN结反向击穿电压的装置，其特征在于，包括第一 高阻半导体层（1）、与第一高阻半导体层（1）导电类型相同的低阻半导 体层（2）、与低阻半导体层（2）导电类型相反的第二低阻半导体层（3） 和设置在第一高阻半导体层（1）两侧面的第一绝缘抗反射涂层（4）及 第二绝缘抗反射涂层（5）；
所述第二低阻半导体层（3）位于第一绝缘抗反射涂层（4）的内侧 面，所述低阻半导体层（2）位于第二低阻半导体层（3）的另一侧面正 下方；
所述第二低阻半导体层（3）与低阻半导体层（2）形成主PN结，所 述第二低阻半导体层（3）与第一高阻半导体层（1）形成辅PN结，所述 主PN结与辅PN结相互并联；
所述低阻半导体层（2）的掺杂浓度小于第二低阻半导体层（3）的 掺杂浓度，所述第一高阻半导体层（1）的掺杂浓度小于低阻半导体层（2） 的掺杂浓度；
所述第一绝缘抗反射涂层（4）与第二低阻半导体层（3）的接触面 积小于第一绝缘抗反射涂层（4）的面积，所述第二低阻半导体层（3） 与低阻半导体层（2）的接触面积小于第一绝缘抗反射涂层（4）与第二 低阻半导体层（3）的接触面积；
所述第二低阻半导体层（3）的深度小于低阻半导体层（2）的深度；
所述装置通过两次扩散形成，第一次对第一高阻半导体层（1）进行 同型扩散用来形成PN结的一个区，第二次扩散区域完全覆盖第一次扩散 的区域，但结深比第一次扩散浅。
2.根据权利要求1所述的可提高PN结反向击穿电压的装置，其特 征在于，所述第一高阻半导体层（1）、低阻半导体层（2）和第二低阻半 导体层（3）采用的是普通硅片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110448439.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
