[发明专利]热处理的基板承载设备有效
申请号: | 201110443405.9 | 申请日: | 2011-12-27 |
公开(公告)号: | CN103123907A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 黄庭辉 | 申请(专利权)人: | 豪客能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/324 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 承载 设备 | ||
技术领域
本发明与硒化的热处理有关,特别涉及一种热处理的基板承载设备。
背景技术
请参考图1,表示现有热处理的基板承载设备的结构示意图。
一般传统的热处理的基板承载设备10包括一底壁101及至少两支撑壁102,而相邻的两支撑壁102之间仅能置放单一基板103,如此才能对基板103的正面及背面进行热处理。
而若是欲提升产能而在相邻的两支撑壁102之间同时置放两基板(图未示)的话,将会造成两基板(图未示)容易贴合,导致破坏两基板的表面,更无法对各基板(图未示)的正面及反面进行热处理,生产良率将会降低。
基于上述问题,发明人提出了一种热处理的基板承载设备,以克服现有技术的缺陷。
发明内容
本发明目的在于提供一种热处理的基板承载设备,其凭借凸出件及垫片的设计,使两基板能置放在相邻的两支撑板中,同时进行热处理,可提高至两倍的产能,且同样能对各基板的正面与背面进行热处理而不会相互影响。
为达上述目的,本发明提供一种热处理的基板承载设备,包含:
一底壁,呈水平地设置;
至少两支撑壁,相互平行且相互间隔地设置在该底壁上,各该支撑壁与该底壁垂直,且各该支撑壁的两侧远离该底壁的一端处,分别设置有一垫片;
至少两凸出件,分别地设置在两相邻的支撑壁之间,且与该底壁连接,两相邻的支撑壁与一凸出件之间分别具有一第一空间及一第二空间,该第一空间及该第二空间分别供一基板插置;以及
两夹固件,分别相对应该第一空间及该第二空间设置,用以分别将各该基板夹固至该第一空间及该第二空间定位,定位后即将各该基板释放;
其中,在两相邻的支撑壁之间的该两基板其中之一以相对应的该夹固件进行翻转使该两基板的背面相对,且其正面分别面对邻近的各该支撑壁。
所述的热处理的基板承载设备,其中,在两相邻的支撑壁之间的该两基板以远离该底壁的一端接触,且该两基板之间以该凸出件而相互间隔,该两基板朝同一方向以一角度而抵靠在其中一支撑壁上的相对应的该垫片。
所述的热处理的基板承载设备,其中,该角度介于5度角到30度角之间。
附图说明
图1表示现有热热处理的基板承载设备的结构示意图;
图2表示本发明热处理的基板承载设备的结构示意图;
图3表示本发明热处理的基板承载设备完成承载后的结构示意图;
图4表示本发明热处理的基板承载设备中基板放置不具一致性的示意图之一;
图5表示本发明热处理的基板承载设备中基板放置不具一致性的示意图之二;
图6表示本发明热处理的基板承载设备中基板放置具有一致性的示意图。
附图标记说明:
本发明:1-热处理的基板承载设备;2-底壁;3-支撑壁;31-垫片;32-垫片;4-凸出件;5-夹固件;6-夹固件;7-基板;8-基板;S1-第一空间;S2-第二空间;20-气体腔室;21-进气孔;22-出气孔;30-炉腔;31-热绝缘层;41-上加热元件;42-下加热元件;θ-角度。
背景技术:10-热处理的基板承载设备;101-底壁;102-支撑壁;103-基板。
具体实施方式
虽然本发明使用了几个较佳实施例进行解释,但是下列附图及具体实施方式仅仅是本发明的较佳实施例;应说明的是,下面所揭示的具体实施方式仅仅是本发明的例子,并不表示本发明限于下列附图及具体实施方式。
请同时参考图2及图3,其中,图2表示本发明热处理的基板承载设备的结构示意图,图3表示本发明热处理的基板承载设备完成承载后的结构示意图。
本发明热处理的基板承载设备1包括一底壁2、至少两支撑壁3、至少两凸出件4以及两夹固件5、6。
底壁2及各支撑壁3形成晶舟(boat)结构,底壁2大致呈水平地设置,各支撑壁相互平行且相互间隔地设置在底壁3上,各支撑壁3大致与底壁2垂直,且各支撑壁3的两侧远离底壁2的一端处,分别设置有一垫片31、32,垫片31、32为不会刮伤太阳能基板表面的材质,如塑胶材质等。
各凸出件4分别地设置在两相邻的支撑壁3之间,且与底壁2连接,两相邻的支撑壁3与一凸出件4之间分别具有一第一空间S1及一第二空间S2,第一空间S1及第二空间S2分别供一基板7、8插置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造