[发明专利]构图装置有效
申请号: | 201110442359.0 | 申请日: | 2011-12-21 |
公开(公告)号: | CN102569129A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 曾山正信 | 申请(专利权)人: | 三星钻石工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B28D1/22;B28D5/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 孟锐 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 构图 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种将形成在基板上的膜部分剥离或去除的构图装置(Patterning device)。
背景技术
以往,已知有一种通过向CIGS(Copper Indium Gallium DiSelenide,铜铟镓硒)系太阳电池的表面挤压刀尖,使形成在太阳电池表面上的膜剥离而执行槽加工的技术(构图)(例如参照专利文献1)。例如,与此相当的有为了在太阳电池用基板的端部露出下部电极,而相对宽幅地剥离或去除形成在下部电极上的膜的步骤(也称为切削步骤)等。
先行技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2009/145058号
发明内容
在太阳电池的制造步骤中,进行所述构图之前要实施各种热处理,但热处理有时会导致构成太阳电池的基板(玻璃基板)上产生翘曲,在构图时刀尖的刀刃方向与基板表面并未大致平行。在使用宽度窄的构图工具而形成宽度窄的槽的情况下,基板翘曲的影响较小,但在所述切削步骤中,去除部分的宽度大,因此需要使用刀尖宽度大的构图工具,若基板发生翘曲,则产生刀尖与形成在基板上的膜未均匀接触,而无法以所需宽度剥离或去除膜这样的问题。
本发明是鉴于所述课题研究而成,目的在于提供一种能够恰当地进行构图而将形成在基板上的膜部分剥离或去除的构图装置。
为了解决所述课题,技术方案1的发明是一种进行构图而将形成在基板上的膜部分剥离或去除的装置,其特征在于包括:保持单元,保持形成着膜的基板;构图工具,在前端部上具有在刀刃方向上延伸的刀尖;固定器,将所述构图工具固定;固定器摆动部,将所述固定器保持为能够围绕包含加工方向和铅垂方向的平面内的第1轴旋转;驱动部,使所述固定器摆动部相对于所述保持单元相对移动;及升降部,使所述固定器摆动部升降;且所述升降部使所述固定器摆动部向接近所述保持单元的方向移动而使所述构图工具的所述刀尖触碰所述膜之后,所述驱动部使所述固定器摆动部相对于所述加工方向相对移动,由此在所述构图工具沿着所述加工方向进行所述膜的构图时,所述构图工具将在水平面内所述刀刃方向正交于所述加工方向时的所述刀尖的姿势设为基准姿势,并且通过所述固定器围绕所述第1轴旋转,能够仿照所述膜在所述刀刃方向上的倾斜度摆动。
另外,技术方案2的发明是根据技术方案1所述的构图装置,其特征在于:所述固定器摆动部能够围绕在水平面内垂直于所述加工方向的所述第2轴转动。
另外,技术方案3的发明是根据技术方案2所述的构图装置,其特征在于:通过使所述固定器摆动部围绕所述第1轴转动,将所述构图工具设为倾斜姿势而进行所述构图。
另外,技术方案4的发明是根据技术方案1至3中任一技术方案所述的构图装置,其特征在于:所述构图工具的所述刀刃方向上的宽度大于固定在所述固定器上的部分的宽度。
另外,技术方案5的发明是根据技术方案1至3中任一技术方案所述的构图装置,其特征在于:所述构图工具在所述刀尖上部具有贯通孔。
[发明的效果]
根据技术方案1至技术方案5的发明,即便在由于基板产生翘曲等原因导致作为构图对象的膜上在刀刃方向上有倾斜度的情况下,也可以使构图工具的刀尖姿势仿照该倾斜度而变化,从而能够稳定地形成所需宽度的槽。
尤其是,根据技术方案4所述的发明,通过1次构图可以形成更大宽度的槽。
另外,根据技术方案5所述的发明,从基板上去除的膜的加工碎屑通过贯通孔而向加工行进方向的相反侧排出。由此,加工碎屑存在于加工行进方向上而阻碍构图的情况或附着于刀尖上的情况得到抑制,因此构图精度进一步提高。
附图说明
图1是表示构图装置1的整体构成的一例的前视图。
图2是表示构图装置1的整体构成的一例的侧视图。
图3是表示太阳电池3的构成的一例的前视图。
图4是表示构图头部30附近的构成的一例的前视图。
图5是表示固定器摆动部34附近的构成的一例的侧视图。
图6是例示正在进行构图时的构图头部30的模样的侧视图。
图7是表示构图工具60的构成的前视图。
图8是例示构图工具60与形成着膜5的基板4的位置关系的前视图。
图9是表示构图工具60的姿势与槽6的关系的图。
图10是表示变形例的构图工具160的前视图。
图11是例示将构图工具160使用于利用构图装置1的构图的情况下的模样的图。
图12是表示变形例的构图工具260的前视图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星钻石工业股份有限公司,未经三星钻石工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110442359.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造