[发明专利]掩模

说明书

本申请要求2010年12月28日提交的韩国专利申请No.10-2010-0136464的优先权，通过引用将其结合于此，如同全面在此阐述一样。

技术领域

本发明涉及一种用于在淀积设备中在衬底上形成图案的掩模和使用该掩模来制造显示装置的方法，并且尤其涉及一种用于形成有机发光二极管(OLED)显示器的钝化层的应用于等离子体增强化学气相淀积(PECVD)的掩模。

背景技术

通常，气相淀积主要分类成物理气相淀积(PVD)和化学气相淀积(CVD)。

根据所淀积材料从气态变成固态时进行的处理，PVD与CVD之间存在差异。具体地，明显的差异在于：PVD要求真空环境，而CVD甚至在数十至数百托的环境或者标准压力环境下也充分地进行。在这种情况下，CVD要求相比PVD的温度而言高得多的温度的环境。

PVD的例子有溅射、电子束蒸发、热蒸发、激光分子束外延(L-MBE)和脉冲激光淀积(PLD)。这些工艺可以被包括在PVD中的原因是：当要淀积的材料被淀积在衬底上时，从气态变成固态的操作伴随着物理变化。

CVD的例子有金属有机化学气相淀积(MOCVD)和氢化物气相外延(HVPE)。CVD输送气态原材料，但是原材料在衬底的表面上具有化学反应。

根据反应室的反应条件(例如，根据真空度)，CVD工艺主要分类成三种工艺。

首先，常压化学气相淀积(APCVD)在反应器的真空度是大气压时利用源于热的能量来引起反应。

其次，低压化学气相淀积(LPCVD)在反应器的真空度是低压时利用源于热的能量来引起反应。

第三，PECVD在反应器的真空度是低压时利用源于热的能量和由射频(RF)功率产生的等离子体来引起反应。

图1和图2是示出了在PECVD设备中衬底和掩模对准的状态的示意图。

PECVD将包括了构成要形成的薄膜材料的元素的一种或多种化合物气体提供到衬底上，由此通过在气态下或衬底表面进行的化学反应来形成所期望的薄膜。

这种PECVD设备包括进行化学反应的真空室(未示出)和水平设置在真空室中的用于支持衬底10的机台。

PECVD设备通常在于衬底上形成薄膜时没有单独的掩模的情况下使用，但是例如在形成有机发光二极管(OLED)显示器的钝化层时，也可以使用图1中的掩模20。

在PECVD设备中，如图1A中所示，在形成OLED显示器的钝化层时使用的掩模20包括形成在框架21内部的掩模图案22。衬底10设置在掩模20下面且位于机台上，机台具有衬底10被形成在从上部到下部的方向上的形状。

框架21的材料可以是陶瓷或者金属。当框架21的材料是金属时，掩模经伸展后的下垂可以最小化。

然而，如图1B中所示，由于掩模20在框架21的边缘处形成为直角形状而没有任何阶梯，所以取决于原材料的厚度，在衬底上或者掩模图案区的附近可能出现阴影效应(图1B中的虚线所示)。阴影的形状可能会变化。

即，如图1B中所示，在掩模20的下部被伸展时，这种阴影效应可能会由于框架21的厚度而严重地出现。

如图2A和图2B中所示，在掩模20的上部被伸展时，当衬底20粘附到掩模20时掩模20被改变，导致膜穿通。

用在上述PECVD工艺中的掩模20具有局限性，即阴影效应可能严重地出现在框架21与掩模图案22之间的边界上。另外，当掩模20由于机台抬升而升高时，可能会在掩模区域中出现膜穿通。

发明内容

据此，本发明针对一种基本避免了由于现有技术的限制和缺点造成的问题中的一个或多个问题的用于在淀积设备中在衬底上形成图案的掩模和使用该掩模制造显示装置的方法。

本发明的优点是提供一种改进的显示装置，该显示装置包括通过具有框架的掩模而形成的薄膜的图案，该框架具有斜表面。

本发明的附加特征及优点将在以下的描述中进行阐述，并且一部分根据本说明书将是清楚的，或者可以从本发明的实践获知。本发明的这些和其他优点可以通过在本书面描述及其权利要求书及附图中具体指出的结构来实现和获得。

为了实现这些和其他优点并且根据本发明的目的，如本文具体化和广义描述的，一种用于在衬底上形成薄膜图案的掩模可以包括：掩模图案，该掩模图案限定了要在衬底上形成薄膜图案的位置；以及框架，该框架支持掩模图案，并且包括在设置掩模图案的内侧方向上渐缩(taper)的斜面。