[发明专利]掩模

权利要求书

1.一种用于在衬底上形成薄膜图案的掩模，该掩模包括：

掩模图案，该掩模图案限定了要形成在所述衬底上的所述薄膜图案；以及

框架，该框架支持所述掩模图案，并且包括在设置所述掩模图案的内侧方向渐缩的斜面。

2.根据权利要求1所述的掩模，其中所述掩模图案由金属或者陶瓷材料形成，并且其中，所述掩模图案具有等于或小于约5.0ppm/度的热膨胀率。

3.根据权利要求1所述的掩模，其中所述框架由金属或者陶瓷材料形成。

4.根据权利要求3所述的掩模，其中所述框架具有等于或小于约10^-7mm/℃至约2.0×10^-6mm/℃的热膨胀系数。

5.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述淀积室是PECVD室，并且所述掩模图案在与所述PECVD室的等离子体形成部分相反的方向上被粘接到所述框架，并且其中所述掩模用于形成显示装置的钝化层的图案。

6.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述框架包括：

绕着通过所述框架的剖面所形成的内侧的内表面；

绕着所述框架的外侧的外表面；以及

绕着在所述外表面的下端和所述内表面的下端之间的间隙的下表面。

7.根据权利要求6所述的掩模，其中所述内表面具有自所述外表面的上端在内侧方向上渐缩的渐缩形状。

8.根据权利要求1所述的掩模，其中所述斜面相对于所述衬底或者所述机台具有在约15度到45度之间的角度。

9.根据权利要求1所述的掩模，其中所述掩模具有在所述框架的拐角区域中形成的至少两个对准标记。

10.根据权利要求1所述的掩模，其中所述框架的横剖面具有四边形或者三角形的形状。

11.一种用于制造显示装置的方法，该方法包括：

在淀积室中的机台上提供衬底；

使用对准标记将掩模与所述衬底或所述机台对准，其中所述掩模包括框架和粘接到所述框架的掩模图案，并且其中所述框架具有在朝着设置所述掩模图案的内侧方向减缩的斜表面；以及

在所述淀积室中通过所述掩模来淀积薄膜，以在所述衬底上形成所述薄膜的图案。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述掩模图案由金属或者陶瓷材料形成，并且其中所述掩模图案具有等于或小于约5.0ppm/度的热膨胀率。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述框架由金属或者陶瓷材料形成。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述框架具有等于或小于约10^-7mm/℃至约2.0×10^-6mm/℃的热膨胀系数。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述淀积室是PECVD室，并且所述掩模图案在与所述PECVD室的等离子体形成部分相反的方向上被粘接到所述框架，并且其中所述薄膜的所述图案是显示装置的钝化层的图案。

16.根据权利要求11所述的方法，其中所述框架包括：

绕着通过所述框架的剖面所形成的内侧的内表面；

绕着所述框架的外侧的外表面；以及

绕着在所述外表面的下端和所述内表面的下端之间的间隙的下表面。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述内表面具有自所述外表面的上端在内侧方向上渐缩的渐缩形状。

18.根据权利要求11所述的方法，其中所述斜表面相对于所述衬底或者所述机台具有在约15度到45度之间的角度。

19.根据权利要求11所述的方法，其中所述掩模具有在所述框架的拐角区域中形成的至少两个对准标记，并且其中所述两个对准标记配置成固定地附接在所述机台上。

20.根据权利要求11所述的方法，其中所述框架的横剖面具有四边形或者三角形的形状。