[发明专利]产生多核心晶粒的光罩组修改有效
申请号: | 201110435145.0 | 申请日: | 2011-12-22 |
公开(公告)号: | CN102543862A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 达鲁斯.D.嘉斯金斯 | 申请(专利权)人: | 威盛电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 产生 多核 晶粒 光罩组 修改 | ||
1.一种产生一光罩组的方法,以印刷多核心晶粒于一半导体晶圆上,该方法包括:
开发一第一光罩组,以印刷Q-核心晶粒,其中该第一光罩组定义多条切割道,以区分该些Q-核心晶粒,其中,该切割道共同构成一密封环,以环绕于每一Q核心晶粒,其中,Q至少为1;
修改该第一光罩组中的部分层数,以产生一第二光罩组,以印刷P-核心晶粒,其中,该修改包括移除该第一光罩组中,至少一切割道,及定义内核通讯线,以连接至少两个相邻的核心,该二相邻核心原本将会被该已移除的切割道所分隔,其中,P至少为Q的两倍;
其中,该内核通讯线配置时,使至少两个相连接的核心在操作时相互通讯;
其中,该内核通讯线配置时,并不与P-核心晶粒的实体输入/输出焊垫相连接,以使得一依据该修改光罩组所制造的P-核心晶粒中,经由该内核通讯线传输的讯号不会传输至该P-核心晶粒之外。
2.如权利要求1所述的方法,还包括:
制备一多核心晶粒的半导体晶圆,制备时,是利用该第二光罩组。
3.如权利要求2所述的方法,其中,利用该第二光罩组制备该多核心晶粒的半导体晶圆时,还包括:
利用该第二光罩组,印刷该多核心晶粒于该半导体晶圆上;及
切开该半导体晶圆上的该些多核心晶粒,沿着该些剩下的切割道。
4.如权利要求1所述的方法,其中,Q等于1且P等于2。
5.如权利要求1所述的方法,其中,Q等于2且P等于4。
6.如权利要求1所述的方法,还包括定义至少一部分该些内核通讯线,使该多核心晶粒的核心配置时能彼此通讯,以执行该多核心晶粒的电源管理。
7.如权利要求6所述的方法,其中,所述执行该多核心晶粒的电源管理包括同步化该些核心的电源状态变化。
8.如权利要求6所述的方法,其中,所述执行该多核心晶粒的电源管理包括管理一共享电压源。
9.如权利要求6所述的方法,其中,所述执行该多核心晶粒的电源管理包括管理一共享时钟源。
10.如权利要求1所述的方法,还包括定义至少一部分内核通讯线作为一内部旁通总线,使该些核心避开用来连接该多核心晶粒及一芯片组的一外部总线,而藉由该内部旁通总线来传输讯号。
11.如权利要求10所述的方法,其中,该些核心被配置为当其中一核心驱动该外部总线时,其他的核心是经由该内部旁通总线听取指令,而非经由该外部总线听取指令。
12.如权利要求1所述的方法,其中,该第一光罩组用来印刷一Q-核心晶粒的M×N矩阵,该第二光罩组用来印刷(N×M)/2个P-核心晶粒,其中,M为偶数且至少为2,N至少为1。
13.如权利要求1所述的方法,其中,该第一光罩组用来印刷一Q-核心晶粒的M×N矩阵,该第二光罩组用来印刷P-核心晶粒及Q-核心晶粒。
14.如权利要求13所述的方法,其中,该第二光罩组用以印刷Nx[(M-1)/2]个P-核心晶粒及M个Q-核心晶粒,其中,M为奇数且至少为3,而N至少为2。
15.如权利要求13所述的方法,其中,该第二光罩组用以印刷(NxM)/4个P-核心晶粒及(NxM)/2个Q-核心晶粒,其中,M为偶数且至少为4,而N至少为2。
16.如权利要求1所述的方法,其中,所述的修改该第一光罩组中部分层数以产生该第二光罩组的步骤,还包括只修改该第一光罩组中的非晶体管层。
17.如权利要求1所述的方法,其中,所述修改该第一光罩组中部分层数以产生该第二光罩组的步骤,还包括修改的层数少于该第一光罩组一半的层数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于威盛电子股份有限公司,未经威盛电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110435145.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造