[发明专利]一种SiGe HBT工艺中的VPNP器件及其制造方法

权利要求书

1.一种SiGe HBT工艺中的VPNP器件，其特征是，包括：P型衬底上部形成有P埋层和深N阱，深N阱的上部形成有N埋层、P埋层和P阱，深N阱上部的P埋层位于P阱两侧与P阱相连，N埋层为于深N阱上部两侧边缘与P埋层被深N阱隔离；P阱上形成有基区，基区上部中央形成有发射区，发射区上方形成有锗硅外延和隔离介质，基区上方形成有多晶硅层和隔离介质，隔离介质将锗硅外延和多晶硅层隔离；P埋层和N埋层通过深接触孔引出连接金属连线，多晶硅层和锗硅外延通过接触孔引出连接金属连线。

2.如权利要求1所述的VPNP器件，其特征是：所述锗硅外延与基区相临位置的宽度小于基区的宽度。

3.如权利要求2所述的VPNP器件，其特征是：所述P埋层具有硼离子。

4.如权利要求2所述的VPNP器件，其特征是：所述N埋层具有磷离子或砷离子。

5.一种SiGe HBT工艺中VPNP器件的制造方法，包括：

(1)在P型衬底上制作浅沟槽隔离，在浅沟槽隔离底部注入形成P埋层和N埋层，注入形成深N阱；

(2)注入形成P阱；

(3)生长隔离介质，刻蚀去除部分隔离介质，打开发射区窗口，生长锗硅外延；

(4)刻蚀后，再次生长隔离介质，打开多晶硅层窗口，淀积多晶硅层，将锗硅外延上的部分多晶硅层和隔离介质去除；

(5)将P埋层和N埋层通过深接触孔引出连接金属连线，多晶硅层和锗硅外延通过接触孔引出连接金属连线。

其特征是：实施步骤(2)时，增加一次深P型杂质注入形成P阱。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征是：实施步骤(1)时，注入硼离子形成P埋层，剂量为1¹⁴cm^-2至1¹⁶cm^-2，能量小于15keV。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征是：实施步骤(1)时，注入磷离子或砷离子形成N埋层，剂量为1¹⁴cm^-2至1¹⁶cm^-2，能量小于15keV。