[发明专利]高压隔离型的NLDMOS结构及其制作方法

权利要求书

1.一种高压隔离型的NLDMOS结构，其特征在于，包括：

在P SUB之上，由磷注入并经热推进形成的DNW；

在DNW上形成的LOCOS；

在DNW内，由硼注入在源端形成的P阱，且P阱和LOCOS有交叠；

在DNW内，由硼注入形成的P TOP，该P TOP位于LOCOS下方；

在DNW和LOCOS上，由多晶硅形成的栅极；

由多晶硅形成的在P TOP末端的场板；

在整个有DNW的器件区，由磷或砷注入形成的源极和漏极。

2.如权利要求1所述的结构，其特征在于：所述P阱和LOCOS有0.1～0.3μm的交叠。

3.如权利要求1所述的结构，其特征在于：所述P TOP位于LOCOS下方0.2～1μm的位置，在整个DNW的器件内都有；

所述P TOP和P阱的间隙位于LOCOS的下方。

4.如权利要求1所述的高压隔离型的NLDMOS的制作方法，包括步骤：

(1)DNW的制作

在P SUB上注入磷后，经过高温推进形成DNW；

(2)P阱的制作

在DNW基础上，通过热生长形成场氧化层后，通过注入硼杂质，在源端形成P阱，P阱的注入区域和LOCOS有一定交叠；

(3)P TOP的制作

在DNW内，通过注入硼杂质形成P TOP；

(4)多晶硅栅极及多晶硅场板的制作

热生长形成栅氧之后，淀积多晶硅，并刻蚀定义出多晶硅栅极和多晶硅场板，再淀积二氧化硅并刻蚀，形成有侧墙的多晶硅栅极及场板；

(5)源漏的制作

利用多晶硅栅极和场氧化层作为硬质掩模，在器件区注入磷或砷形成源漏的N+；

(6)P+的制作

在P阱基础上，注入硼形成P阱引出所需的P+。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)中，注入能量为100keV～300keV，注入剂量为10¹¹～10¹⁴cm^-2；

推进温度为1000℃～1200℃，时间为100分钟～500分钟。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，场氧化层的厚度为

注入能量为0keV～2000keV，注入剂量为10¹¹～10¹⁵cm^-2，单次或多次注入；

P阱和LOCOS有0.1～0.3μm的交叠。

7.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述步骤(3)中，注入能量为100keV～2000keV，注入剂量为10¹¹～10¹⁵cm^-2。

8.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述步骤(4)中，热生长形成栅氧之后，淀积多晶硅并刻蚀定义出多晶硅栅极和多晶硅场板，再淀积二氧化硅

9.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述步骤(5)、(6)中，磷或砷、硼的注入能量为0keV～200keV，剂量为10¹³～10¹⁶cm^-2，单次或多次注入。