[发明专利]一种高频开关电源调制的可控硅换向双脉冲电源

说明书

技术领域

本发明涉及一种电镀电源电路，特别涉及一种高频开关电源调制的可控硅换向双脉冲电源。

背景技术

现有技术的双脉冲电源其低压逆变部分主要采用igbt，属进口元件，硅片国内尚无生产，且存在价格高、电流小的缺陷，高压小电流应用还可以，大电流时成本高昂，多只并联时电流不均匀，而如果采用场效应管，则电流太小，多只并联时如500A时就会出故障，且现有技术尚无大功率元件，而如果采用门极关断可控硅，会导致驱动困难，已属于淘汰元件，没有低压元件，耗能较高。

发明内容

本发明提供了一种高频开关电源调制的可控硅换向双脉冲电源，以弥补现有技术的不足。

本发明一种高频开关电源调制的可控硅换向双脉冲电源主要由高频开关电源部分、桥式整流部分、逆变部分、控制部分构成，其中，高频开关电源部分由电源开关、桥式整流、滤波、高频载波调制逆变、高频变压器等组成，380v三相交流电从电源开关进入三相桥式整流，经过滤波的电感滤波和电容滤波后变成560v平稳的直流电，经高频调制逆变后送入高频变压器。

本发明一种高频开关电源调制的可控硅换向双脉冲电源，所述桥式整流部分包括低压桥式整流，所述低压桥式整流产生对中心正反的两路脉动直流电。

本发明一种高频开关电源调制的可控硅换向双脉冲电源，所述逆变部分包括续流电阻、逆变可控硅，采用两套逆变可控硅交替导通，换向采用前级死区时间关断，同步触发。

本发明一种高频开关电源调制的可控硅换向双脉冲电源，所述控制部分由供电变压器、外部控制单元、主线路板、电源驱动板、逆变控制板、取样分流器组成，所述供电变压器产生24v四路相互隔离的交流电，经电源驱动板、逆变控制板，驱动两个igbt和逆变可控硅，所述主线路板采用集成功放比例放大op07、LM324控制电源开关，Sg3525产生脉冲信号，经分配后驱动电源驱动板和逆变控制板。

本发明主要应用于电镀、电解、电化学等的脉宽调制电源，主要体现在双脉冲电流功率上的突破，从现有的几百安，可以达到几万安，而成本会降低5-6倍，使普通电镀电解也可以实现功能性应用。

附图说明

图1为一种高频开关电源调制的可控硅换向双脉冲电源的电路示意图；

图2为一种高频开关电源调制的可控硅换向双脉冲电源的控制部分电路示意图；

图3为一种高频开关电源调制的可控硅换向双脉冲电源的触发波形示意图；

图4为一种高频开关电源调制的可控硅换向双脉冲电源的原理方框图。

其中：1、电源开关；2、桥式整流；3、滤波；4、高频载波调制逆变；5、高频变压器；6、低压桥式整流；7、续流电阻；8、逆变可控硅；9、取样分流器；10、供电变压器；11、外部控制单元；12、主控板；13、电源驱动板；14、逆变控制板；15-21、波形；15、igbt脉冲串G3；16、igbt脉冲串G4；17、次级触发可控硅脉冲G1；18、次级触发可控硅脉冲G2；19、输出电压波形；20、输出电流波形；21、关断死区。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明和阐述：

本发明一种高频开关电源调制的可控硅换向双脉冲电源主要由高频开关电源部分、桥式整流部分、逆变部分、控制部分构成，其中，高频开关电源部分由电源开关1、桥式整流2、滤波3、高频载波调制逆变4、高频变压器5等组成。380v三相交流电从电源开关1进入三相桥式整流2，经过滤波3的电感滤波和电容滤波后变成560v平稳的直流电，电感、电容与RCD吸收过滤逆变产生的尖峰电压，抑制对电网的干扰，提高功率因数，高频载波调制逆变4的两个igbt斩波逆变后送入高频变压器5变压，igbt门极G3、G4触发igbt脉冲串G3、igbt脉冲串G4，如波形15、波形16，为对称180度和隔直电容使高频变压器5不会产生直流成分饱和，同时高频变压器5两端采用阻容吸收防止产生振荡，560v直流电经高频调制逆变后送入高频变压器5。

本发明一种高频开关电源调制的可控硅换向双脉冲电源，其中，所述桥式整流部分包括低压桥式整流6，所述低压桥式整流6产生对中心正反的两路脉动直流电，所述低压桥式整流6因频率较高采用快恢复二极管，续流电阻7为快恢复二极管提供空载时导通电流。