[发明专利]真空镀膜件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110423663.0 申请日: 2011-12-17
公开(公告)号: CN103160778A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 曹达华 申请(专利权)人: 深圳富泰宏精密工业有限公司
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/35
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 真空镀膜 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种真空镀膜件,包括基体及形成于基体上的颜色层,其特征在于:该颜色层包括若干第一碳化铬层及若干第一碳化钛层,所述若干第一碳化铬层和若干第一碳化钛层交替排布,该颜色层呈现的色度区域于CIE LAB表色系统的L*坐标为29至35,a*坐标为0至2,b*坐标为0至2。

2.如权利要求1所述的真空镀膜件,其特征在于:所述颜色层的厚度为0.05~0.2μm。

3.如权利要求1所述的真空镀膜件,其特征在于:该真空镀膜件还包括形成于基体与颜色层之间的过渡层,所述过渡层包括若干第二碳化铬层及若干第二碳化钛层,所述若干第二碳化铬层和若干第二碳化铬层交替排布。

4.如权利要求3所述的真空镀膜件,其特征在于:所述过渡层的厚度为0.08~0.2μm。

5.如权利要求1所述的真空镀膜件,其特征在于:所述真空镀膜件还包括形成于基体与颜色层之间的梯度层;所述梯度层包括若干第三碳化铬层及若干第三碳化钛层,所述若干第三碳化铬层和若干第三碳化钛层交替排布,所述每一第三碳化铬层中的C原子的含量不同,每一第三碳化钛层中的C原子的含量不同;所述梯度层中C原子的含量由靠近基体至远离基体的方向均呈梯度增加。

6.如权利要求5所述的真空镀膜件,其特征在于:该梯度层的厚度为0.5~1.2μm。

7.如权利要求1所述的真空镀膜件,其特征在于:该基体的材质为金属、玻璃、陶瓷及塑料中的一种。

8.一种真空镀膜件的制造方法,包括以下步骤:

提供基体;

在该基体上以磁控溅射的方式形成颜色层,该颜色层包括若干第一碳化铬层及若干第一碳化钛层,所述若干第一碳化铬层和若干第一碳化钛层交替排布;溅射时同时开启铬靶和钛靶,并以乙炔为反应气体,所述颜色层呈现的色度区域于CIE LAB表色系统的L*坐标为29至35,a*坐标为0至2,b*坐标为0至2。

9.如权利要求8所述的真空镀膜件的制造方法,其特征在于:在形成该颜色层的过程中,乙炔的流量为160~240sccm,设置铬靶的功率为15~20kw,设置钛靶的功率为10~15kw,对基体施加-100~-200V的偏压,镀膜温度为100~150℃,镀膜时间为5~15min。

10.如权利要求8所述的真空镀膜件的制造方法,其特征在于:该真空镀膜件的制造方法还包括在基体与颜色层之间沉积梯度层的步骤,所述梯度层包括若干第三碳化铬层及若干第三碳化钛层,所述若干第三碳化铬层和若干第三碳化钛层交替排布,所述每一第三碳化铬层中的C原子的含量不同,每一第三碳化钛层中的C原子的含量不同;所述梯度层中C原子的含量由靠近基体至远离基体的方向均呈梯度增加。

11.如权利要求10所述的真空镀膜件的制造方法,其特征在于:形成该梯度层的方法为:同时开启铬靶和钛靶,设置铬靶的功率为15~20kw、钛靶的功率为10~15kw;设置氩气的流量为150~200sccm,以乙炔为反应气体,向镀膜室内通入通入初始流量为50~110sccm的乙炔气体,对基体施加-100~-200V的偏压,并加热所述镀膜室至温度为100~150℃;在沉积梯度层的过程中,每沉积4min将乙炔气体的流量增大0.5~2sccm,沉积该梯度层的时间为80~120min。

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