[发明专利]一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板数据线的修复方法有效
申请号: | 201110419048.2 | 申请日: | 2011-12-15 |
公开(公告)号: | CN102509720A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 张婷婷;邱勇;黄秀颀;高孝裕 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/768 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 金碎平 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有源 矩阵 有机 发光 显示器 阵列 数据线 修复 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种阵列基板数据线修复方法,尤其涉及一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板数据线的修复方法。
背景技术
有机发光显示器件(OLED)是主动发光器件。相比现在的主流平板显示技术薄膜晶体管液晶显示器(TFT -LCD ) , OLED 具有高对比度,广视角,低功耗,体积更薄等优点,有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术,是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
在AMOLED制备过程中,AMOLED显示器的像素点不良和信号线断线不良是制备工艺中不可避免出现的两类主要缺陷,而且这两类缺陷大部分集中在阵列工艺末端以后,当检测出上述不良时,就需要进行相应的修复。对于封装之后出现的数据线断线不良,现有技术未给出切实可行的方案。因此,有必要提供有源矩阵有机发光显示器阵列基板数据线修复方法,提高产品良率,且操作简单,易于实施。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板数据线修复方法,能够修复数据线断线,提高产品良率,且操作简单,易于实施。
本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板数据线修复方法,所述基板像素电路包括多条绝缘交叉的扫描线和数据线,所述扫描线和数据线分隔区域内形成有像素电极,所述扫描线和数据线交叉处设置有开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和有机发光二极管;多条VDD线,沿所述数据线方向延伸,所述VDD线和驱动薄膜晶体管的漏极相连,并通过存储电容和驱动薄膜晶体管的栅极相连;所述有机发光二极管的阳极和驱动薄膜晶体管的源极相连,其阴极和VSS线相连;所述数据线和像素电极部分交叠;所述修补方法包括如下步骤:a) 确定数据线断线的位置;b) 将数据断线位置的像素驱动薄膜晶体管失效;c) 将数据断线两端与该像素电极熔接,让像素电极作为转接线修复该数据断线。
上述的有源矩阵有机发光显示器阵列基板数据线的修复方法,其中,所述步骤b)采用激光切割方法从显示器阵列基板的一侧将所述不良像素点的驱动薄膜晶体管的栅极断开,使所述不良像素点的驱动薄膜晶体管失效。
上述的有源矩阵有机发光显示器阵列基板数据线的修复方法,其中,所述步骤c) 采用激光熔接方法将数据线断线两端与该像素电极熔接在一起。
本发明对比现有技术有如下的有益效果:本发明提供的有源矩阵有机发光显示器阵列基板数据线的修复方法,通过先将数据断线位置的像素驱动TFT 失效,然后将数据线断线两端与该像素电极熔接在一起,从而让像素电极作为转接线修复该数据断线。
附图说明
图1为一种有源矩阵有机发光显示器的像素结构示意图;
图2为一种有源矩阵有机发光显示器的像素结构等效电路图;
图3为本发明的有源矩阵有机发光显示器的像素结构示意图;
图4为本发明数据断线的修补流程示意图;
图5为本发明实施例中使断线所在位置像素驱动TFT失效的示意图;
图6为本发明熔接像素电极和数据断线两端使数据线修复的示意图。
图中:
1 数据线 2 扫描线 3 存储电容
4 VDD线 5 开关薄膜晶体管 6 驱动薄膜晶体管
7 像素电极 9 切割点 10 第一焊接点
11 第二焊接点。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。
图3为本发明的有源矩阵有机发光显示器的像素结构示意图。
请参见图3,本发明使用的有源矩阵有机发光显示器的像素电路包括:多条绝缘交叉的扫描线2和数据线1,扫描线2和数据线1分隔区域内形成有像素电极7,扫描线2和数据线1交叉处设置有开关薄膜晶体管5、驱动薄膜晶体管6和有机发光二极管;多条VDD线4,沿所述数据线方向延伸,VDD线4和驱动薄膜晶体管6的漏极相连,并通过存储电容3和驱动薄膜晶体管6的栅极相连;所述有机发光二极管的阳极和驱动薄膜晶体管6的源极相连,其阴极和相连VSS线相连;数据线1和像素电极7部分交叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造